| 主权项 |
1.一种类钻碳薄膜去除方法,其步骤为: 准备溶液:该溶液为化学溶液; 置入构件:将欲去除类钻碳薄膜之构件置入化学溶 液中; 薄膜去除:待构件之类钻碳薄膜去除后取出该构件 。 2.根据申请专利范围第1项类钻碳薄膜去除方法,其 中,化学溶液为氯化氢水溶液。 3.根据申请专利范围第2项类钻碳薄膜去除方法,其 中,氯化氢水溶液浓度为1%~37%。 4.根据申请专利范围第2项类钻碳薄膜去除方法,其 中,氯化氢水溶液较佳浓度为12%~18%。 5.根据申请专利范围第1项类钻碳薄膜去除方法,其 中,化学溶液温度为室温。 6.根据申请专利范围第1项类钻碳薄膜去除方法,其 中,化学溶液温度为摄氏0度~100度。 7.根据申请专利范围第1项类钻碳薄膜去除方法,其 中,退膜速率比:25℃时约0.5微米(m)/小时(hr)。 8.根据申请专利范围第1项类钻碳薄膜去除方法,其 中,退膜速率比:100℃时约0.5微米(m)/分钟(min)。 9.根据申请专利范围第1项类钻碳薄膜去除方法,其 中,该化学溶液中加入催化剂以控制反应之速度。 10.根据申请专利范围第9项类钻碳薄膜去除方法, 其中,该催化剂为硝酸。 11.根据申请专利范围第9项类钻碳薄膜去除方法, 其中,该催化剂为浓度1~70%之硝酸。 12.一种类钻碳薄膜去除及再重新披覆之方法,其步 骤为: 准备溶液:该溶液为化学溶液; 置入构件:将欲去除类钻碳薄膜之构件置入化学溶 液中; 薄膜去除:待构件之类钻碳薄膜去除后取出该构件 ; 构件抛光:将已去除类钻碳薄膜之构件表面予以抛 光处理; 再披覆薄膜:将已抛光之构件,再予以披覆类钻碳 薄膜。 13.根据申请专利范围第12项类钻碳薄膜去除及再 重新披覆之方法,其中,化学溶液为氯化氢水溶液 。 14.根据申请专利范围第13项类钻碳薄膜去除及再 重新披覆之方法,其中,氯化氢水溶液浓度为1%~37% 。 15.根据申请专利范围第13项类钻碳薄膜去除及再 重新披覆之方法,其中,氯化氢水溶液较佳浓度为12 % ~ 18%。 16.根据申请专利范围第12项类钻碳薄膜去除及再 重新披覆之方法,其中,化学溶液温度为室温。 17.根据申请专利范围第12项类钻碳薄膜去除及再 重新披覆之方法,其中,化学溶液温度为摄氏0度~100 度。 18.根据申请专利范围第12项类钻碳薄膜去除及再 重新披覆之方法,其中,退膜速率比:25℃时约0.5微 米(m)/小时(hr)。 19.根据申请专利范围第12项类钻碳薄膜去除及再 重新披覆之方法,其中,退膜速率比:100℃时约0.5微 米(m)/分钟。 20.根据申请专利范围第12项类钻碳薄膜去除及再 重新披覆之方法,其中,化学溶液加入催化剂以控 制反应之速度。 21.根据申请专利范围第20项类钻碳薄膜去除及再 重新披覆之方法,其中,该催化剂为硝酸。 22.根据申请专利范围第20项类钻碳薄膜去除及再 重新披覆之方法,其中,该催化剂为浓度1~70%之硝酸 。 23.一种类钻碳薄膜制成品,系将已去除类钻碳薄膜 之构件表面,经抛光后再披覆类钻碳薄膜。 24.根据申请专利范围第23项类钻碳薄膜制成品,其 中,类钻碳薄膜之去除,可为将欲去除类钻碳薄膜 之构件置入化学溶液中所去除者。 图式简单说明: 第1图:本发明类钻碳薄膜去除方法及制成品之去 除步骤示意图。 第2图:本发明类钻碳薄膜去除方法及制成品之去 除后再重新披覆步骤示意图。 第3图:本发明类钻碳薄膜去除方法及制成品之构 件表面粗糙度。 第4图:本发明类钻碳薄膜去除方法及制成品之构 件表面光泽度。 第5图:本发明类钻碳薄膜去除方法及制成品之构 件表面去除被覆之类钻碳薄膜前后示意图。 |
