| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具备: 基材; 导体电路,设于上述基材中; 绝缘膜,形成至少覆盖上述基材之一部分; 焊垫电极,设于上述基材表面或上述绝缘膜表面, 而连接于上述导体电路; 半导体晶片,形成于上述绝缘膜上;及 导电构件,电性连接上述焊垫电极与上述半导体晶 片,其中 上述焊垫电极,系含电极膜及形成于其表面之导电 性保护膜,形成上述导电构件之一端与上述导电性 保护膜接触。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中, 上述绝缘膜之表面为电浆处理面,而上述导电性膜 之表面为由耐电浆性材料构成。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中, 上述绝缘膜具有凹部,上述焊垫电极设于上述凹部 之内部,而上述凹部的内壁与上述焊垫电极的侧面 之间设有空隙部。 4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中, 上述绝缘膜具有凹部,上述焊垫电极设于上述凹部 之内部,而上述凹部的内壁与上述焊垫电极的侧面 之间设有空隙部。 5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中, 于上述绝缘膜表面,形成有微小凸起群。 6.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中, 于上述绝缘膜表面,形成有微小凸起群。 7.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中, 于上述绝缘膜表面,形成有微小凸起群。 8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中, 上述导电性保护膜,系包含:形成于上述电极膜上 之紧密附着膜,与形成于该紧密附着膜上之构成上 述导电性保护膜之最表面之覆盖膜。 9.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中, 上述导电性保护膜,系包含:形成于上述电极膜上 之紧密附着膜,与形成于该紧密附着膜上之构成上 述导电性保护膜之最表面之覆盖膜。 10.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中, 上述导电性保护膜,系包含:形成于上述电极膜上 之紧密附着膜,与形成于该紧密附着膜上之构成上 述导电性保护膜之最表面之覆盖膜。 11.一种半导体装置之制造方法,系具备: 准备含导体电路之基材之步骤; 形成覆盖上述基材之至少一部分之绝缘膜,同时在 上述基材表面或上述绝缘膜表面,形成连接上述导 体电路之焊垫电极之步骤;及 在露出上述绝缘膜表面与上述焊垫电极之状态下 进行电浆处理之步骤。 图式简单说明: 第1图系说明习知技术之封装构造用之图。 第2图系说明ISB(注册商标)构造用之图。 第3A图及第3B图系说明BGA及ISB(注册商标)之制造步 骤之图。 第4图系说明实施方式之半导体装置之构造之图。 第5A图至第5C图系说明实施方式之半导体装置之制 造方法之图。 第6A图及第6B图系说明实施方式之半导体装置之制 造方法之图。 第7A图至第7C图系说明实施方式之半导体装置之制 造方法之图。 |
