| 主权项 |
1.一种应用蒸汽至一基板表面的方法,包含: a).将该基板绕着其中心点旋转,该基板具有一圆周 边缘; b).使用一蒸汽流于该基板上,该蒸汽流系一开始使 用于该中心点至该基板的圆周边缘之间之一点;以 及 c).将该蒸汽流以相对于使用该蒸汽流之基板面积 的相关速率在中心点与该圆周边缘之间之一点移 动。 2.如申请专利范围第1项之应用蒸汽至一基板表面 的方法,更包含: 在该基板上界定出复数个区域,每一区域具有相同 的面积; 将该蒸汽流通过复数个该基板上所界定的区域的 每一个而于该中心点与该圆周边缘之间之一点移 动; 其中该蒸汽流流经该基板上复数个区域中之每一 个的移动速率与该区域的面积相关。 3.如申请专利范围第1项之应用蒸汽至一基板表面 的方法,更包含: 控制该基板绕着该中心点的旋转,该控制包括根据 沿着该基板半径的距离变换旋转速率。 4.如申请专利范围第3项之应用蒸汽至一基板表面 的方法,其中该基板旋转的控制包含界定该基板上 之复数个区域,而该复数个区域包含一中心圆形状 区域以及根据沿着该基板半径的距离之至少一个 较外侧之圆形指环状区域,使得该蒸汽流的移动速 率与其旋转速率其中之一系对应于该复数个区域 的每一个来控制。 5.如申请专利范围第2项之应用蒸汽至一基板表面 的方法,其中该复数个区域的每一个均具有相同的 面积。 6.如申请专利范围第1项之应用蒸汽至一基板表面 的方法,其中该蒸汽流包含一水蒸汽的蒸汽流、乾 水蒸汽的乾蒸汽流以及蒸汽或乾蒸汽之混合物的 雾流等其中之一。 7.一种应用蒸汽至一基板表面的方法,其中包含: a).将该基板绕着其中心点旋转,该基板并具有一圆 周边缘; b).使用一蒸汽流于该基板上,该蒸汽流系一开始使 用于该中心点至该基板的圆周边缘之间之一点;以 及 c).将该蒸汽流通过沿着该基板半径界定之复数个 区域而在该中心点与该圆周边缘之间之一点移动 。 8.如申请专利范围第7项之应用蒸汽至一基板表面 的方法,其中该蒸汽流的移动系与该复数个区域的 每一个的面积相关。 9.如申请专利范围第7项之应用蒸汽至一基板表面 的方法,其中该基板的旋转率系与沿着该基板半径 之中心点之间的距离相关。 10.如申请专利范围第7项之应用蒸汽至一基板表面 的方法,其中该复数个区域系根据沿着该基板半径 而与该中心点之间的距离而由一中心圆形状区域 以及至少一个较外侧圆形指环状区域所界定。 11.如申请专利范围第10项之应用蒸汽至一基板表 面的方法,其中该一中心圆形状区域以及至少一个 圆形指环状区域具有相同的面积。 12.如申请专利范围第7项之应用蒸汽至一基板表面 的方法,其中该蒸汽流包含一水蒸汽的蒸汽流、乾 水蒸汽的乾蒸汽流以及蒸汽或乾蒸汽之混合物的 雾流等其中之一。 13.一种用以处理基板之包含剥除、清洗及制程之 基板处理设备,该基板具有一实质圆形平面基板处 理表面,该基板处理设备更包含: 一喷嘴部,用以在该基板处理表面之中心区域与该 外侧圆周边缘之间移动时喷覆该基板处理表面,该 喷嘴部具有一喷嘴操作控制,用以控制移动速度以 及该喷嘴部的移动轨迹;以及 一底部,该基板装设于其上,系与该基板一同绕着 如同一旋转轴般之该基板处理表面的中心区域旋 转,该底部具有一底部操作控制,用以控制该底部 之旋转速度。 14.如申请专利范围第13项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中该喷嘴操 作控制系根据该喷嘴与该基板处理表面之中心区 域间的距离而定。 15.如申请专利范围第13项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中该底部操 作控制系根据该喷嘴与该基板处理表面之中心区 域间的距离而定。 16.如申请专利范围第14项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中该喷嘴系 于该基板处理表面之半径轴上线性移动。 17.如申请专利范围第14项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中该喷嘴操 作控制包含将该基板处理表面根据与该中心区域 间的距离而分割成一个中心圆形区域以及至少一 个较外侧之圆形指环状区域,使得其移动速度与其 旋转速度其中之一分别对应于该一中心圆形区域 以及至少一个较外侧之圆形指环状区域中的每一 个来控制。 18.如申请专利范围第15项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中该底部操 作控制包含将该基板处理表面根据与该中心区域 间的距离而分割成一个中心圆形区域以及至少一 个较外侧之圆形指环状区域,使得其移动速度与其 旋转速度其中之一分别对应于该一中心圆形区域 以及至少一个较外侧之圆形指环状区域中的每一 个来控制。 19.如申请专利范围第17项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中一个中心 圆形区域以及至少一个较外侧之圆形指环状区域 的分割方式系以均分该基板处理表面之半径轴来 执行。 20.如申请专利范围第18项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中一个中心 圆形状区域以及至少一个较外侧之圆形指环状区 域的分割方式系以均分该基板处理表面之半径轴 来执行。 21.如申请专利范围第17项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中该一中心 圆形区域以及至少一个较外侧之圆形指环状区域 具有相同的面积。 22.如申请专利范围第18项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中该一中心 圆形区域以及至少一个较外侧之圆形指环状区域 具有相同的面积。 23.如申请专利范围第17项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中该喷嘴操 作控制包含分割而得之喷嘴移动子速度之数目之 喷嘴移动,而分割而得之喷嘴移动子速度之数目系 设定为对应至该基板处理表面之分割区域数。 24.如申请专利范围第18项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中该底部操 作控制包含分割而得之旋转台子速度之数目的底 部旋转,而分割而得之旋转台子速度之数目系设定 为对应至该基板处理表面所分割之区域数。 25.如申请专利范围第23项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中分割而得 之喷嘴移动子速度之数目系设定为相等于该处理 中基板表面被分割的区域数。 26.如申请专利范围第24项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中分割而得 之旋转台子速度之数目系设定为相等于该处理中 基板表面被分割的区域数。 27.如申请专利范围第15项之用以处理基板之包含 剥除、清洗及制程之基板处理设备,其中该底部操 作控制包含控制该底部之旋转速度,以相对于该基 板处理表面的中心于一固定时间内选取该喷嘴部 的位置。 28.一种基板处理方法,包含在一具有一实质圆形平 面基板处理表面的基板上进行剥除、清洗及制程 等其中之一的处理,其中包含: 当一喷嘴部在该基板处理表面之中心区域与该外 侧圆周边缘之间移动时,以面向该处理中基板表面 的方式喷覆该基板之该基板处理表面; 将具有一基板位于其上的底部与该基板共同绕着 如同一旋转轴般之该基板处理表面的中心区域旋 转;以及 控制移动速度及该喷嘴部移动的轨迹。 29.如申请专利范围第28项之基板处理方法,其中对 移动速度及该喷嘴部移动的轨迹的控制包含根据 该喷嘴部涂布之基板处理面的面积而对该喷嘴部 之移动速度及移动轨迹作改变。 30.一种基板处理方法,包含在一具有一实质圆形平 面基板处理表面的基板上进行剥除、清洗及制程 等其中之一的处理,其中包含: 当一喷嘴部在该基板处理表面之中心区域与该外 侧圆周边缘之间移动时,以面向该处理中基板表面 的方式喷覆该基板之该基板处理表面; 将具有一基板位于其上的底部与该基板共同绕着 如同一旋转轴般之该基板处理表面的中心区域旋 转;以及 控制该底部之旋转速度。 31.如申请专利范围第30项之基板处理方法,其中对 该底部之旋转速度的控制包含根据该喷嘴部涂布 之基板处理表面的面积而对该底部之旋转速度作 改变。 图式简单说明: 图1显示一示意图,说明根据本发明之一实施例之 一基板处理设备; 图2显示一图,说明根据本发明之其中一个实施例 的喷嘴操作控制; 图3显示另一图,说明根据本发明之其中一个实施 例的喷嘴操作控制; 图4显示再另一图,说明根据本发明之其中一个实 施例的喷嘴操作控制; 图5A显示一图,说明根据本发明之其中一个实施例 的底部操作控制; 图5B显示一图,说明根据本发明之一实施例,同一时 间间隔中一喷嘴行经的距离; 图5C显示一图表,说明根据本发明之转移速度与距 离的关系; 图6A显示另一图,说明根据本发明之一实施例之底 部操作控制; 图6B显示另一图表,说明根据本发明之一实施例中, 旋转数目与距离的关系。 |
