发明名称 Cu-Ni-Si合金
摘要 为提供一种兼具高强度与高导电性之电子材料用Cu- Ni-Si合金。本发明之兼具高强度与高导电性之Cu-Ni-Si合金,其特征在于,含有Ni 1.0~4.5质量%(以%表示)、与Si0.25~1.5%,其余为由Cu与无法避免之杂质而构成之铜基合金中,在以[Ni]、[Si]代表Ni与Si之质量浓度时,Ni与Si之质量浓度比(以[Ni]/[Si]表示)为4~6,且式1所定义之χ为0.1~0.45。([Ni]-4χ)2([Si]-χ)=1/8 (式1)
申请公布号 TWI247816 申请公布日期 2006.01.21
申请号 TW093109699 申请日期 2004.04.08
申请人 日?金属加工股份有限公司 发明人 石川泰靖;新见寿宏;波多野隆绍
分类号 C22C9/00 主分类号 C22C9/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种兼具高强度与高导电性之Cu-Ni-Si合金,其特 征在于,系含有Ni 1.0 ~ 4.5质量%(以%表示)、Si 0.25 ~ 1 .5%,其余为由Cu与无法避免之杂质而构成之铜基合 金,在以[Ni]、[Si]表示Ni与Si之质量浓度时,Ni与Si之 质量浓度比(以[Ni]/[Si]表示)为4 ~ 6,且式1所定义之 为0.1~0.45; 且该Cu-Ni-Si合金之拉伸强度为720Mpa以上、导电率 为45%IACS以上 ([Ni]-4)2([Si]-)=1/8 (式1)。 2.如申请专利范围第1项之Cu-Ni-Si合金,其中含有Mg 0 .05~0.3%。 3.如申请专利范围第1或2项之Cu-Ni-Si合金,其中含有 择自Zn、Sn、Fe、Ti、Zr、Cr、Al、P、Mn、Ag或Be中1种 以上且总量为0.005 ~ 2.0%。
地址 日本