发明名称 双导体热辅助式磁性记忆体
摘要 一种对具有其中矫顽磁性随着温度提高而降低之材料的被选择之二导体自旋阀记忆体(SVM)细胞执行热辅助式写入作业的方法。在一特别实施例中,一第一写入磁场用随着被施用至该第一导体由一第一电压电位流动至一第二电压电位的一第一写入电流被建立。一第二写入磁场用随着被施用至该第二导体由一第三电压电位流动至一第四电压电位的一第二写入电流被建立。该第一导体之电压电位大于该第二导体之电压电位。其结果为,由该第一导体透过该SVM细胞,一第三电流流动至该第二导体。该SVM细胞具有一内部电阻使得该电流在该SVM细胞产生。随着该SVM细胞本身被加热,该SVM细胞之矫顽磁性下降至低于该被组合之磁场。
申请公布号 TW200606940 申请公布日期 2006.02.16
申请号 TW094109627 申请日期 2005.03.28
申请人 惠普研发公司 发明人 帕纳;安东尼;瓦姆斯里;特兰
分类号 G11C11/16 主分类号 G11C11/16
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国