| 发明名称 |
NONNVORATILE SEMICONDUCTOR MEMORY |
| 摘要 |
PURPOSE:Long time memory holding enabled by such writing-in as to short the gate of floating gate type FET to source region. |
| 申请公布号 |
JPS51147135(A) |
申请公布日期 |
1976.12.17 |
| 申请号 |
JP19750071585 |
申请日期 |
1975.06.12 |
| 申请人 |
NIPPON ELECTRIC CO |
发明人 |
OOYA SHIYUUICHI;KIKUCHI MASANORI |
| 分类号 |
G11C17/00;G11C16/04;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
G11C17/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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