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Eine Projektionsbelichtungsanlage (10) für die Mikrolithographie umfasst ein Projektionsobjektiv (22) zum Abbilden von Maskenstrukturen, welches ein mehrere Manipulatorfreiheitsgrade (M1 bis M8) aufweisendes Manipulationssystem (42) zur Veränderung von Eigenschaften des Projektionsobjektivs umfasst. Weiterhin umfasst die Projektionsbelichtungsanlage einen Stellwegsermittler (40), welcher dazu konfiguriert ist, aus einer Zustandscharakterisierung (64a) des Projektionsobjektivs Stellwegseinstellungen (x1 bis x8) für die Manipulatorfreiheitsgrade des Manipulationssystems durch mehrere Optimierungen einer Zielfunktion (72) unter jeweiliger Berücksichtigung mehrerer Nebenbedingungen (78) bezüglich der Stellwegseinstellungen zu generieren, wobei mindestens eine der Nebenbedingungen eine Grenze für eine Kombination mehrerer Stellwegseinstellungen definiert, wobei die Berücksichtigung der Nebenbedingungen mittels eines in der Zielfunktion enthaltenen Bestrafungsterms (76) erfolgt, welcher dazu konfiguriert ist, während der jeweiligen Optimierung der Zielfunktion einer Verletzung der Nebenbedingungen entgegen zu wirken, wobei das durch den Bestrafungsterm bewirkte Entgegenwirken eine mittels mehrerer Konfigurationsparameter (λj) einstellbare Entgegenwirkungscharakteristik aufweist, wobei jeder der Nebenbedingungen einer der Konfigurationsparameter zugewiesen ist, und wobei bei den Optimierungen Werte der Konfigurationsparameter (λj) von Optimierung zu Optimierung variiert werden. |
