| 发明名称 |
Method for fabricating semiconductor device |
| 摘要 |
본 발명의 기술적 사상에 의한 반도체 소자 제조 방법은, 절연층이 형성된 기판을 준비하고, 절연층 상에 금속성 하드마스크를 형성하고, 절연층을 일부 식각하여 리세스를 형성하고, 리세스의 내측벽에 금속성 보호막을 형성하고, 금속성 보호막을 이용하여 절연층을 식각하여 절연층을 관통하는 홀을 형성하고, 금속성 하드마스크 및 금속성 보호막을 제거하는 것을 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160116915(A) |
申请公布日期 |
2016.10.10 |
| 申请号 |
KR20150045330 |
申请日期 |
2015.03.31 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
PARK, JAE HONG;YOON, JUN HO;HAN, JE WOO;KIM, DONG CHAN;MIN, GYUNG JIN;PARK, JIN YOUNG;JEON, KYUNG YUB |
| 分类号 |
H01L21/3205;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/56 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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