| 发明名称 |
INSULATED GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5333587(A) |
申请公布日期 |
1978.03.29 |
| 申请号 |
JP19760107796 |
申请日期 |
1976.09.10 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
YOSHIDA ISAO;MUKAI KIICHIROU;TAKAHASHI SHIGERU;OKABE TAIAKI |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/312 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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