一种太赫兹石墨烯微结构调制器

摘要

本发明提供了一种以石墨烯互补型微结构作为有源区的太赫兹调制器，包括衬底；在衬底上生长的掺杂半导体层；依次叠加的绝缘层和有源区层；其中最底部绝缘层在掺杂半导体层上生长，顶部为有源区层；所述有源区层为具有为互补微结构的石墨烯层；生长在最顶部有源区的电极。本发明还提供了所述太赫兹调制器的制作方法。本发明能够通过外加偏压改变石墨烯费米能级，从而实现对入射THz波实现深度调制。

主权项

一种太赫兹石墨烯微结构调制器，其特征在于，包括：——衬底；——在衬底上生长的掺杂半导体层；——依次叠加的绝缘层和有源区层；其中最底部绝缘层在掺杂半导体层上生长，顶部为有源区层；所述有源区层为具有为互补微结构的石墨烯层；——生长在最顶部有源区的电极。