| 发明名称 |
INSULATED GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5511352(A) |
申请公布日期 |
1980.01.26 |
| 申请号 |
JP19780084024 |
申请日期 |
1978.07.12 |
| 申请人 |
CHO LSI GIJUTSU KENKYU KUMIAI |
发明人 |
IWAMATSU SEIICHI;OGAWA MITSURU |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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