| 主权项 |
1﹒制造一种薄膜磁头之方法,此方法包括下列之步骤:在一基体上形成一层镍一铁合金,在该镍一铁合金层上形成一光阻性图型及以化学方式蚀刻此镍一铁层以形成具有25至55度倾 斜角之各斜边之一图型,在其中,于蚀刻以前,该镍一铁层系设以具有较镍一铁层本身高出70%至200%之铁含量之一镍一铁顶层。2﹒根据上述请求专利部份第1项所述之一种方法,其特点为该镍一铁层系在一电镀浴中沉积于基体上,并藉在沉积过程之最后阶段中,降低加于电镀浴之电流密度至少为40%,以使具有较镍铁合金层之其他部份为高之铁含量之一顶层得以形成者。3﹒根据上述请求专利部份第1项或第2项所述之一种方法,其特点为镍一铁层系在包含强酸、过氧化氢及氟化氢之一种蚀刻浴中予以蚀刻者。4﹒根据上述请求专利部份任何一项中所述之方法制成之一种薄膜磁头。5﹒一种薄膜磁头,包含具有已型制之可磁化镍一铁合金层之一基体,一种电绝缘层伸展于该镍一铁合金层上,一导电绕组结构伸展于该绝缘层上,该型乃具有对基体为倾斜之斜边,其特点为该镍一铁合金层具有一顶层,此项层之铁含量较该镍一铁层之其他部份之铁含量为高者。 |
