摘要 |
Ein Hochfrequenzleitersystem (1) weist ein Hochfrequenzgehäuse (2) auf, das einen Gehäuseboden (7), einen vom Gehäuseboden beabstandeten Gehäusedeckel und eine zwischen dem Gehäuseboden und dem Gehäusedeckel umlaufende Gehäusewand (8, 9) umfasst, wodurch ein Aufnahmeraum (10) gebildet ist. Zumindest eine leitungsgebundene HF-Durchführung (3) ist innerhalb des Aufnahmeraums (10) angeordnet. Die leitungsgebundene HF-Durchführung (3) ist von dem Hochfrequenzgehäuse (2) galvanisch getrennt. Ein kapazitives Koppelelement (20) ist an zumindest einem Teil des Umfangs der leitungsgebundenen HF-Durchführung (3) angeordnet und mit dieser galvanisch verbunden. Das kapazitive Koppelelement (20) weist zwei Stirnseiten (211, 212) auf, die quer oder senkrecht zur Ausbreitungsrichtung (12) der leitungsgebundenen HF-Durchführung (3) ausgerichtet sind. Ein erster Koppelsteg (221) ist galvanisch mit dem Hochfrequenzgehäuse (2) verbunden und beabstandet zu der Stirnseite (211, 212) zur Erzeugung einer kapazitiven Kopplung angeordnet. |