| 主权项 |
1.含下式所示之一种热安定性矽氧烷单 元之一种聚合组成物的制法 式中, Q示一种经取代或未经取代之芳族 基团; z示 D示未经取代或经取代之次烃基 ; R1,R2,R3,R4,R5 及R6 各示为经取代或经取代之烃基 ; x,y,z 各示由0至l00之値 。 此方法为:使用下式所示之一种 矽氧烷化合物起反应者 式中, F1 示一种直接或经由一中间基 团连接至Q之官能性基团; Q,Z,D,R1,R2,R3 R4,R5,R6,x,y和z等之 定义悉如前述,但设定:Fl 不得为 胺基,当乙示一O一,一S 一2.如请求专利部份第1.项 之一种方法, 其中,于所用反应物中,F,示氢、 氯、溴、碘、氟,一NCO,一NCS ,N2,N3,一NO3,一NO2 , 一CN,一OCN,＿O＿(C1 ＿C8 式中,Ra 及Rb 各示氢或低级烷基 ,或二者与N共同形成一种杂环之一 部份,a-环氧乙烷及 式中,二个羟基团乃以邻位关系 相位立着,而F1乃直接结合至Q, 或经由一中间之C1,一C8 烷基或烷氧 基,或经由一中间之Q一Z一基团而 连接至Q; Q示经取代或未经取代之碳环芳 族基团而其6至18个环碳原子者, 或经取代或未经取代之杂环芳族基团 而其5至18个环碳原子者,其中, 杂原子乃选自N,O及S,而取代基 则为C1,一C12 烷基,C2 一C12烯 基,C2一 C12炔基,C4 一C8 环烷 基,C1 一C12烷氧基,C1 一C12 烷硫基,苯基,烷次苯基而其烷基上 之碳原子数为1至12者,苯氧基, 苯硫基,C2 一C12烷羟氧基,苯次 烷基而在其次烷塞上之碳原子数为l 至12者,C2 一C12,烷羟基,C2 一C12烷氧羟基,溴基,氯基,氟基 碘基,硝基,氰硫基,羧基,羟基, 羟基,氢硫基,甲醯基,硫代甲醯基 及氢硫羟基; D示经取代或未经取代之C,或 C3,至C18之次烃基; R1,R2,R3,R4,R5 及R6 各示经取代或未经取代之C1 一C12,烷基,C2 一C12 烯基, C2一C12炔基,C4 一C8环烷基, 苯基,烷次苯基而其烷基上之碳原子 数为1至12,苯次烷基,而其烷塞 上之碳原子数为1至12,烯次苯基 而其烯基上之碳原子数为2至12, 而当被取代时,此等基团乃被Br, Cl, I,F,一NC,一NO2, 一OCN ,C1 一C8 烷氧基,一S( 等所取代,其中R7及R8各示氢或 低级烷基。3.如请求专利部份第1.项之一种方法, 法方法系用以制造一种聚醯胺;聚醯 亚胺聚(半一醯胺)或聚(醯胺一醯 亚胺),包括令一种有机酸, 或酸 一 与下式所示之一种双(胺基)聚 矽氧烷起反应者, 式中' Q示经取代或未经取代之芳族基 团; Z示' ,式中, Q示经取代或未经取代之芳族基 团; Z示 式中, Q示经取代或未经取代之芳族基 团; Z示 D示未经取代或经取代之次烃基 ; R1,R2,R3,R4,R5 及R6 各示经取代或为经取代之烃基 ; x ,y及z各示由0至100之値 。4.如请求专利部份第1.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚(半一醯胺 )或聚醯亚胺,包括令一种二 成份 及一种胺成份起反应,该二 成份包 含下式所示之一种二 式中,A示一种四价苯或荼核, 或下式所示之一种四价基团, 式中,G示次苯基或下式所示之一种 基团 而其中m及m'各示0或l,E及E′ 各示一O一, 或Cy H2y, 其中y示由1至8之一整数;胺成份 则包含一种双(胺基)聚矽氧胺,及 ,任意地,一种有机二胺,上开之双 (胺基)聚矽氧烷乃如下式所示者 其中, Q示一种经取代或未经取代之芳族 基团; Z示 D示经取代或未经取代之C1,或 C3 一C18次烃基; R1,R2,R3,R4,R5 及R6各示未经取代或经取代之烃基 ;而 x,y及"z各示由o至l00之値 ; 有机二胺则如下式所示 式中,Y示次苯基,次联苯基,次荼 基或如下式所示之一种基团 式中,R5 示一种枝链型C1 一C 。 次烷基, 或一O一, 或R5 示一O一.G'一O一,式中G' 示次苯基或下式所示之一种基团 或枝链型之C1 一C8 次烷基。5.如请求专利部份第4 项之一种方法, 此方法系用制造一种聚(半一醯胺) 或聚醯亚胺,其中, Q示经取代或未经取代之碳环芳 族基团而其6至18个环碳原子者, 或经取代或未经取代之杂环芳族基团 而其5至18个环碳原子者,其中, 杂原子乃选自N,O及S,而取代基 则C1 一C12 烷基,C2 一C12烯基 ,C2 一C12炔基,C4 一C9环烷基 ,C1一C12烷氧基,C1 一C12 烷 硫基,苯基,烷次苯基而其烷基上之 碳原子数为1至12者,苯氧基,苯 硫基,C2 一C12烷羟氧基,苯次烷 基而在其次烷基上之羟原子数为l至 12者,C2 一C12 烷羟基,C2一 C12烷氧羟基,溴基,氯基,氟基, 碘基,硝基,氰硫基,羧基,羟基, 羟基,氢硫基,甲醯基,硫代甲醯基 及氢硫羟基; D示经取代或未经取代之Cl或 C3 至C18之次烷基; R1,R2 ,R3 ,R4 ,R5 及R6 各示经取代或经取代之C1 一 C12烷基,C2 一C12烯基,C2 一 C12炔基,C4一C8 环烷基,苯基, 烷次苯基而其烷基之碳原子数为l至 12,苯次烷基,而其烷基上之碳原 子数为1至12,烯次苯基而其烯基 上之碳原子数为2至12,而当被取 代时,此等烃基团乃被Br,Cl I,F,一NC,一NO2 ,一OCN ,C1 一C8 烷氧基,一S(C1 一C8 )烷基 O 代.。其中R7 及R8 各示氢或低级烷 基。6.如请求专利部份第5项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚(半一醯胺 )或聚醯亚胺,其中, Q示为经取代之碳环芳基,而其 环上之碳原子数为6至18者。 D示枝链型或直链型C1 或C3 一C12,次烷基; x示由0至100之値; y示由0至20之値; z示由0至20之値。7.如请求专利部份第6项所请求之 一种 方法,此方法系用以制造一种聚(半 一醯胺)或聚醯亚胺,其中, R,示C1 一C18 烃基; R2示C1一C12烷基; R3示苯基,C7一C18烷次苯 基,或C1一C12烷基; R4 示C1 一C12 烷基,苯基, C7 一C18烷次苯基,R2 一R12烯 基或经取代之烷基; R5示C2 一C12烯基或经取代 之C1 一C12 烷基; R6示C1 ＿C12 烷基,苯基, C7 一C8 烷次苯基,C2 一C12烯基 或经取代之C1 一C12烷基。8.如请求专利部份第7.项 之一种方法, 此方法系用以制备一种聚(半一醯胺 )或聚醯亚胺,其中,Q示碳环芳族 基团而其环上之碳原子数为由6至18 ,此基团乃被或不被1至4个C1一 Cl2烷基,C2 一C12烯基,C2 一 C12,快基,C4一C8 还烷基,C1 一 C12烷氧基,C1 一C12烷硫基,苯 基,烷次苯基而其烷基部份上之碳原 子数为1至12,苯氧基,苯硫基, C2 一C12烷羟基,C1 一C12,苯次 烷基而其次烷基部份上之碳原子数为 l至12者,C2一C12烷氧羟基, 溴基,氯基,氟基,碘基,硝基,氰 基,氰硫基,羧基,羟基,羟基,氰 硫基,甲醯基,硫代甲醯基及氢硫羟 基等所组成。9.如请求专利部份第8项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚(半一醯亚 胺),其中,Q示碳环芳族基团而其 环上之碳原子数为6至18者,此芳 族基团乃被或不被由1至4个低级烷 基,低级烯基,低级炔基,C4 一C8 环烷基.,.位级烷氧基,低级烷硫基, 苯基,低级烷次苯基,苯低级次烷基 ,低级烯次苯基,苯氧基,苯硫基, 低级烷羟基,低级烷羟氧基,低级烷 氧羟基,﹒渍基,氯基,氟基,碘基, 硝基,氰硫基,羧基,羟基,羟基, 氢硫基及氢硫羟基等所取代; D示次甲基或C3一C8次烷基。10.如请求专利部份第9 项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚( 半一醯胺 )或聚醯亚胺,其中, Q含至多一取代基; R1示低级烷基; R2示低级烷基; R3示低级烷基或苯基; R4 示低级烷基,苯基,低级烯基或 经取代之低级烷基; R5示低级烯基或经取代之低级烯基 ; R6 示低级烷基,低级烯基或经取代 之低级烷基,R4 ,R5 ,R6 等低级烷基上之取代基乃分别选 自卤素,胺基,氰基,一CONH2 ,羟基及氢硫基等基团。11.如请求专利部份第10.项 之一种方法, 此方法系用以制造一种聚(半一醯鞍 )或聚醯亚胺,其中 Z示12.如请求专利部份第l1.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚(半一醯胺 )或聚醯亚胺,其中, Z示一O一或一S一; D示次甲基,次丙基或次丁基; R1 示C1 一C3 烷基; R2 示C1一C3烷基; R3示C1 一C3 烷基或苯基; R4示C1 一C3 烷基,C2 一C4 烯基,苯基,或上开之烷基被胺基, 氨基,羟基或一CONH2 所取代; R5 示C2 一C4 烯基或C1 一C3 烷基而任意被胺基,氰基,羟基或一 CONH2 等所取代; R6 示C1 一C3 烷基,C2 一C4 烯基或C1 一C3烷基而任意被胺基, 氰基,羟基或一CONH2 所取代; x示由0至100之値; y示由0至20之値;而 z示由0至20之値。13.如请求专利部份第12项之一种 方法, 此方法系用以制造一种聚(半一醯胺 )或聚醯亚胺,其中, Q未被取代; Z示＿O＿; D示次甲基或次丁基; R'示甲基; R2示甲基; R3示甲基或苯基; R4示甲基,乙烯基或苯基; R5 示乙烯基或甲基,乙基或丙 基而任意被胺基,氰基,羟基或 一CONH2 所取代; R6示甲基,乙烯基,或甲基, 乙基或丙基而任意被胺基,氰基,卤 素或一CONH2 所取代者; x示由0至100之値; y示由0至20之値; z示由0之10之値。14.如请求专利部份第1.项之一种 方法, 此方法系用以制造一种聚醯胺,聚( 半一醯胺),聚醯亚胺,或聚(醯胺 一醯亚胺),包括于一种有机二胺与 下式所示之一种二元酸,二 或酸-- 起反应 式中, F3 及F3/各示COOH或 ,式中羟基乃在Q'或Q上呈邻为关 系; Q及Q'为含6至18个环碳原 子之碳环芳族基团; z及Z各选自 p示O或l; D示经取代之C1 或C3 一C18 次烃基; R1 ,R2 ,R3 ,R4 ,R5 及R6 各示经取代或未经取代之C1 一C12 烷基,C2 一C12烯基,C2 一C炔基,C4 一C8 环烷基,苯基 ,烷次苯基而烷基之碳原子数为l至 12,苯次烷基,而其烷塞上之碳原 子数为1至12,烯次苯基而其烯塞 上之碳原子数为2至12,而当被取 代时,此等烃基团乃被Br,Cl I,F,一NC,一NO2 ,C1一 C8 烷氧基,一S(C1 一C8)烷基 (C1 一C8)烷基,一S一S一(C1 一C8)烷基,一COOH,一COSH ,一CSOH,＿CONH2 ,一CN, 一CHO ,一CHS ,一OH,一SH ,一NCO及一NR7R8 等所取代,其 中R7 及R8 各示氰或低级烷基, x,y及z各示由0至100之値 。15.如请求专利部份第1.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚胺基中酸酯 ,包括令一种异氰酸酯与下式所示之 一种化合物 式中, F1示羟基,胺基或羟基; Q示经取代或未经取代之碳环芳 族基团而其6至18个环碳原子者, 或经取代或未经取代之杂环芳族基团 而其5至18个环碳原子者,其中, 杂原子乃选自N,O及S,而取代基 则为C1 一C12烷基,C2一C12,烯 基,C2 一C12,炔基,C4一C8 还烷 基,C1 一C12环烷基,C1 一C12 烷硫基,苯基,烷次苯基而其烷基上 之碳原子数为1至12者,苯氧基, 苯硫基,C2 一C12,烷羟氧基,苯次 烷基而在其次烷基上之碳原子数为l 至12者,C2 一C12烷羟基,C2 一C12,烷氧羟基,溴基,氮基,氟基 ,碘基,硝基,氰硫基,羧基,羟基 ,羟基,氢硫基,甲醯基,硫代甲醯 基及氢硫羟基; Z示 D示经取代或未经取代之C1 或 C3 一C18次烃基; R1 ,R2 ,R3 ,R4 ,R5 及R6 各示经取代或未经取代之C1 一C12, 烷基,C2 一C12,烯基,C2 一C12炔基,C4 一C8 环烷基,苯基 ,烷次基而其烷基之碳原子数为l至 12,苯次烷基,而其烷基上之碳原 子数为1至12,烯次苯基而其烯基 上之碳原子数为2至12,而当被取 代时,此等烃基团乃被Br,C1,I ,F,一NC,一NO2,OCN,C1 一C8 烷氧基,一S一(C1 一C8) 烷基, o C1 一C8)烷基,一COOH,一COSH ,一CONH2 ,一CN,＿CHO 一CHS ,＿OH,＿SH,＿NCO 及一NR7 R8 等所取代,其中R7 及 R8,各示氢或低级烷基; x,y及z各示由0至100之値16.如请求专利部份第1.项之 一种方法, 此方法系用以制造一种聚环氧化物, 包括令含一个以上之-环氧乙烷的 一种化合物与下式所示之一种化合物 起反应。 式中,F示胺基,羧基或 ,式中,二个羟基乃在Q'及Q上以相 相邻关系位立; p示o或l; Q'及Q各示碳环芳族基团,而 其环上之碳原子数为6至18者; Z'及Z各示 D示经取代或未经取代之C1 或 C3 至C18之次烃基; R1 ,R2 ,R3, R4,R5 及R6 各示经取代或未经取代之C1 一C12烷基,C2 一C12烯基,C2 一C12快基,C4 一C8 环烷基,苯基 ,烷次苯基而其烷基之碳原子数为l 至﹒12,苯次烷基,而其烷基上之碳 原子数为1至12,烯次苯基而其烯 基上之碳原子数为2至12,而常被 取代时,此等烃基团乃被Br ,l, Cl,F,一NC,一NO2一C1一 C8 烷氧基,一S(C1 一c8)烷基 (C1 一C8)烷基,一S一S一(C1 一C8 )烷基,一COOH,一COSH ,一CSOH,一CONH2,一CN 一CHO,一CHS,一OH,一SH, 一NCO及一NR7 R8 等所取代,其中 R7 及R8 各示氢或低级烷基; x,y及z各示由0至l00之値 。17.如请求专利部份第1.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚碳酸酯,包 括令碳醯氯及下式所示之一种化合物 起反应 其中, Q示经取代或未经取代之碳环芳 基团而具6至18个环碳原子老,或 经取代或未经取代之杂环芳族基团而 具5至18个环碳原子者,其中,杂 原子乃选自N,O及S,而取代基则 为C1 一C12烷基,C2 一C12烯基 ,C2 一C12炔基,C4 一C8环烷基 ,C1 一C12烷氧基,C1 一C12烷 硫基,苯基,烷次苯基而其烷基上之 碳原子数为1至12者,苯氧基,苯 硫基,C2 一C12烷羟氧基,苯次烷 基而在其次烷基上之碳原子数为l至 12者,C2 一C12烷羟基,C2 至 C12烷氧羟基,溴基,氮基,氟基, 碘基,硝基,氰硫基,羧基,羟基, 羟基,氢硫基,甲醯基,硫代甲醯基 及氢硫羟基; Z示 D示经取代或未经取代之C1或 C3至C18之次烃基; R1,,R2,R3 ,R4 ,R5 及R6各示经取代或未经取代之C1 一C12烷基,C2-C12,烯基,C5 一C12快基,C4一C8 环烷基,苯基 ,烷次苯基而其烷基之碳原子数为l 至12,苯次烷基,而其烷基上之碳 原子数为1至12,烯次苯基而其烯 基上之碳原子数为2至12,而当被 取代时,此等烃基团乃被Br,Cl, I,F,一NC,一NO2,一OCN, ) )烷基,一S一(C1 一C8)烷基 一S一(C1一C8)烷基,一S一 一(C1一 C8)烷基,一COOH 一COSH,一CSOH,一CONH2 一CN一CHO,一CHS,一OH,一 SH,一NCO 及一NR7R8 等所取 代,其中R7 及R8 各示氢或低级烷 基; x,y,Z各示由0至100之値 。18.如请求专利部份第1.项之一种方法, 此方法系用以制造二种聚酯,包括令 一种多元酸及下式所示之一种化合物 起反应 式中, Q示经取代或未经取代之碳环芳 族基团而具6至18个环碳原子者, 或经取代或未经取代之杂环芳族基团 而具5至18个环碳原子者,其中, 杂原子乃选自N,O及S,而取代基 则为C1 一C12烷基,C2 一C12烯 基,C2 一C12炔基,C4 一C8 环烷 基,C1一 C12烷氧基,C1 一C12 烷硫基,苯基,烷次苯基而其烷基上 之碳原子数为1至12烷硫基,苯基 ,烷次苯基而其烷基上之碳原子数为 1至12者,苯氧基,苯硫基,C2 一C12,烷羟氧基,苯次烷基而在其次 烷基上之碳原子数为1至12者,C2 一C12烷羟基,C2 一C12烷氧羟基 ,溴基,氯基,氟基,碘基,硝基, 氰硫基,羧基,羟基,羟基,氢硫基 ,甲醯基,硫代甲醯基及氢硫羟基; z示 D示经取代或未经取代C1 或C3 至C18之次烃基; R1 ,R2,R3 ,R4 ,R5 及R6 各示经取代或未经取代之C1 一C12烷基,C2一C12,烯基,C2 一C12 炔基,C4 一C8 环烷基,苯基 ,烷次苯基而其烷基之碳原子数为l 至12,苯次烷基,而其烷基上之碳 原子数为1至12,烯次苯基而其烯 基上之碳原子数为2至12,而常被 取代时,此等烃基团乃被Rr ,Cl, I,F,一NC,一NO2 ,一OCN ,C1一C8 烷氧基,一S(C1 一C8 )烷基,一S一(C1一c8)烷基, 一S一(C1 -C8)烷基,一S一S 一(C1一C8)烷基,一COOH, 一COSH,一CSOH,一CONH2, 一CN,一CHO,一CHS,一OH, 一SH,一NCO及一NR7R8 等所取 代,其中R7 及R8 各示氢或低级烷 基; x,y及z各示由0至100之値。 式中, Q示经取代或未经取代之碳环芳 族基团而具6至18环碳原子者,或 经取代或未经取代之杂环方族基团而 具5至18个环碳原于老,其中,杂 原子乃选日N,O及S,而取代基则 为C1 一C12烷基,C2 一C12烯基 ,C2 一C12炔基,C4 一C8 环烷基 ,C1 一C12氧基,C1-C12烷 硫基,苯基,烷次苯基而其烷基上之 碳原子数为1至12者,苯氧基,苯 硫基,C2 一C12烷羟氧基,苯次烷 基而在其次烷基上之碳原子数为l至 12者,C2 一C12,烷羟基,C2一 C12烷氧羟基,溴基,氡基,氟基, 碘基,硝基,氰硫基,羧基,羟基, 羟基,氢硫基,甲醯基,硫代甲醯基 及氢硫羟基, Z示 D示经取代或未经取代之C1 或 C3 至C18之次烃基; R1,R2,R3,R4,R5 及R6 各示经取代或未经取代之C1 一C12,烷基,C2 一C12烯基,C2 一C12 炔基,C4 一C8 环烷基,苯基 ,烷次苯基而其烷基上之碳原子数为 1至12,苯次烷基,而其烷基上之 碳原子数为1至12,烯次苯基而其 烯基上之碳原子数为2至12,而当 被取代时,此等烃基团乃被Br,C1 ,I,F,一NC,一NO2 ,一OCN ,C1 一C8 烷氧基,一S(C1 一C8 )烷基, O 一(C1 一C8)烷基,一COOH, 一COSH,一CSOH,--CONH2, 一CN,一CHO,一CHS,一OH, 一SH,一NCO及一NR7R8 等所取 代,其中R7 及R8各示氢或低级烷 基; x,y及z各示由0至100之値 。 20.如请求专利部份第1.项之一种方法, 此方法系用以制造聚(硫化次苯基) ,包括令硫化钠与下式所示之一种化 合物起反应 其中, Q示经取代或未经取代之碳环芳 族基团而具6至18个环碳原子者, 或经取代或未经取代之杂环芳族基团 而具5至18个环碳原子者,其中, 杂原子乃选自N,O及S,而取代基 则为C1 一C12,烷基,C2 一C12烯 基,C2 一C12,炔基,C4 一C8 环烷 基,C1 一C12烷氧基,C1 一C12 烷硫基,苯基,烷次苯基而其烷基上 之碳原子数为1至12者,苯氧基, 苯硫基,C2 一C12烷羟氧基,苯次 烷基而在其次烷基上之碳原子数为l 至12者,C2 一C12,烷羟基,C2 一C12烷氧羟基,溴基,氟基,碘基 硝基,氰硫基,羧基,羟基,氢硫基 ,甲醯基,硫代甲醯基及氢碳羟基; Z示 D示经取代或未经取代之C1 或 C3 一C18次烃基; R1 ,R2,R3,R4,,R5 及R6 各示经取代或未经取代之C1 一C12烷基,C2一C12烯基,C2 一C12炔基,C4一C8,环烷基,苯基 ,烷次基而其烷基之碳原子数为l至 12,苯次烷基,而其烷基上之原子 数为1至12,烯次苯基而其烯基上 之碳原子数为2至12,而当被取代 时,此等烃基团乃被Br,Cl,I, F,一NC,一NO2 ,一OCN,C1 一C8 烷氧基,一S(C1一 C8)烷 一(C1一 C8)烷基,一S一R一( C1 一C7)烷基,一COOH,一COS 一COSH,一CSOH,一CONH2 一CN,一CHO,一CHS,一OH, 一SH,一NCO及一NR7 R8 等所取 代,其中R7 及R8 各示氢或低级烷 基; x,y,z各示由0至100之値 21.如请求专利部份第1.项之一种方法, 此方法系用以制备一种制酚聚合物, 包括令甲醛与下式所示之一种化合物 起反应 其中, Q示经取代或未经取代之碳环芳 族基团而其6至18个环碳原子,或 经取代或未经取代之杂环芳族基团而 其5至18个环碳原子者,其中,杂 原子乃选自N,O及S,而取代基则 为C1 一C12,烷基,C2 一C12,烯基 ,C2 一C12快基,C4一 C8 环烷基 ,C1 一C12,烷氧基,C1 一C12,烷 硫基,苯基,烷次苯基而其烷基上之 碳原子数为1至12者,苯氧基,苯 硫基,C2 一C12,烷羟氧基,苯次烷 基而在其次烷基上之碳原子数为l至 者,C2 一C12 烷羧基,C2 一 C12烷氧羟基,溴基,氯基,氟基, 碘基,硝基,氰硫基,羧基,羟基, 羟基,氢硫基,甲醯基,硫代甲醯基 及氢硫羟基; Z示 D示经取代或未经取代之C1或 C3至C18之次烯基; R1,R2,R3,R4,R5 及R6各示经取或未经取代之C1 一C12烷基,C2一C12烯基,C2 一C12炔基,C4一C8环烷基,苯基 烷次苯基而其烷基之炭原子数为1 至12,苯次烷基,而其烷基上之碳 原子数为1至12,烯次烷基而其烯 基上之碳原子数为2至12,而当被 取代时,此等基团乃被Br,C1,I ,F,一NC,一NO2,一 OCN, C1一C8烷氧,一S(C1一C8) 烷基,一S一(C1一C8)烷基, 一S一(C1一C8)烷基,一S一S 一(C1一C8)烷基,一COOH, 一COSH,一CSOH,一CONH2, 一CN,一CHO,一CHS,一OH ,一SH,一NCO及一NR7R8等所 取代,其中R7及R8各示氢或低级 烷基; x,y及z各示由0至100之値 。 22. 如请求专利部份第1.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚醯胺聚合物 ,包括令下式所示之一种双(胺基) 矽氧烷 式中, Q示一种经取代或未经取代之芳 族基团; z示 D示一种经取代或未经取代之C1 或C3 一C18次烷基; R1 ,R2,R3 ,R4,R5 及R6 各示未经取代或经取代之烃基 ;而 x,y及z各示由0至l00之値 ; 与一种脂油二元羧酸起反应。 23.如请求专利部份第1.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚合组成物, 其中,Q示经取代或未经取代之碳环 芳族基团而其6至18个环碳原子者 ,或经取代或未经取代之杂环芳族基 团而其5至18个环碳原子者,其中 ,杂原子乃选自N,O及S,而取代 基则为C1一C12烷基,C2 一C12, 烯基,C2 一C12,炔基,C4 一C8 环 烷基,C1 一C12烷氧基,C1 一C12, 烷硫基,苯基,苯次苯基而其烷基上 之碳原子数为1至12者,苯氧基, 苯硫基,C2 一C12烷羟氧基,苯次 烷基而在其次烷基上之碳原子数为l 至12者,C2 一C12,烷碳基,C2 一C12烷氧羟基溴基,氮基,氟基, 碘基,硝基,氰硫基,羧基,羟基, 羧基,氢硫基,甲醯基,硫代甲醯基 及氢硫羟基; D示经取代或未经取代之C1一 C3至 C18之次烃基; R1 ,R2 ,R3 ,R4 ,R5 及R6 各示经取代或未经取代之C1 一C12, 烷基,C2一C12烯基,C2 一C12快基,C4一C8 环烷基,苯基 ,烷次苯基而其烷基之碳原子数亿l 至12,苯次烷基,而其烷基上之碳 原子数为1至12,烯次苯基而其烯 基上之碳原子数为2至12,而常被 取代时,此等烃基团乃被Br,Cl, I,F,一NC,一NO2一OCN 一S一(C1一C8)烷基,一S一S 一(C1 一C8)烷基,一COOH, 一COSH,一CSOH,一CONH2 , 一CN,一CHO,一CHS,一OH, 一SH,一NCO及一NR7R8,等所取 代,其中R7 及R8各示氢或低级烷 基。 24.如请求专利部份第23.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚合组成物, 其中 Q示未经取代或经取代之碳环芳 基,而其环上之碳原子数为6至18 者。 D示直键或枝链型之C1 或C3 一C12次烷基;而 x,y及z各示0。 25.如请求专利部份H24.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚合组成物, 其中 矽氧烷单元乃如下式所示. 式中, v示0至4。 R9示低级烷基,低级烯基,低 级炔基,C4 一C8 环烷基,低级烷氧 基,低级烷硫基,苯基,低级烷次苯 基,苯低级次烷基,低级烯基次苯基 ,苯氧基,苯硫基,低级烷羟基,低 级烷羟氧基,低级烷氧羟基,溴基, 氯基,氟基,碘基,硝基,氰基,氰 硫基,羧基,羟基,羟基,氢硫基或 氢硫羟基; Z示 D1 示次甲基或C3 一C8 次烷基 ; R1示低级烷基,低级烯基,低 级炔基,苯基,低级烷基次苯基,苯 基低级次烷基,或低级烯基次苯基。 26.如请求专利部份第25.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚合组成物, 其中v示O或l,而 R,示低级烷基。 27.如请求专利部份第25.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚合组成物, 其中 v示O或l; z示一O一; R1示低级烷基。 28如请求专利部份第25.项之一种方法, 此方法系用以制备一种聚合物成物, 其中, v示O或l; z示 o一; D1示次甲基,次丙基或次丁基 ; R1示 C1 一C3烷基。 29.如请求专利部份第25.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚合组成物, 其中 v不O; Z示一0一; D1 示次甲基或次丁基;而 R'示甲基。 30.如请求专利部份第23.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚合组成物, 其中 Q示未经取代或经取代之碳环芳 基,而其环上之碳原子为6至18; D示C1或C3一C12枝链或直 链型次烷基; x示0至100之値; y示0至20之値; z示0至20之値。 31.如请求专利部份第30.项之一种方法, 方法系用以制造一种聚合组成物, 其中 R1示未经取代之C1-C18 ,烃 基; R2示C1 一C12烷基; R3示苯基或C7 一C18烷基次 苯基,或C1 一C12,烷基。 R4 示C1 一C12烷基,苯基或 C7 一C18烷基次烷基; R5示C3 一C12烯基或经取代 之C1 一C12烷基; R6 示C1 干C12烷基,苯基, C7 一C18烷基次苯基,C2 一C12 烯基或经取代之C1 一C12 烷基。 32.如请求专利部份第31.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚合组成物, 其中,矽氧烷单元乃如下式所示 式中, v示o至4之値; R9 示低级烷基,低级烯基,低 级炔基,c4 一c8 环烷基,低级烷氧 基,低级烷硫基',苯基,低级烷基次 苯基,苯基低级次烷基,低级烯基苯 基,苯氧基,苯硫基,低级烷羟基, 低级烷羟氧基,低级烷氧羟基,溴基 ,氯基,氟基,碘基,硝基,氰基', 氰硫基,羧基,羟基,氢硫基或氢硫 羟基; z示 而 D1 示次甲基或C3 一C8 次烷基 。 33.如请求专利部份第32.项之二种方法., 此方法系用以制造一种聚合组成物, 其中 R1 示低级烷基,低级烯基.,低 级炔基,苯基,低级烷基次苯基,苯 基低级次烷基,或低级烯基次苯基; R2示C1 一C12 烷基; R3示苯基,C7 一C18 烷基次 苯基或C1 一C12 烷基 R4 示C1 一C12 烷基,苯基, C7 一C18烷次苯基,C2一C12 烯 基或经取代之烷基; R5 示C2 一C12,烯基或经取代 之C1 一C12烷基; R6示C1 一C12 烷基,苯基, C7 一C12烷次苯基,C2 一C12烯 基或经取代之C1 一C12 烷基。 34.如请求专利部份第33.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚合组成物, 其中 v示O或l, D1 示次甲基或C3一C8 次烷基 ; R1 示低级烷基; R2 示低级烷基; R3 示低级烷基或苯基; R4示低级烷基,苯基,低级烯 基或经取代之低级烷基; R5 示低级烯基或经取代之低级 烷基; R6示低级烷基,低级烯基或经 取代之低级烷基,R4 ,R5 ,R6 等低级烷塞上之取代基系分别选自卤 素,胺基,氰基 ,一OONH2 ,羟基 及氢硫基; x示0至l00之値; y示O至2O之値;而 2示0至20之値。 35.如请球专利部份第32.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚合组成物, 其中 v示o或l; z示一O一或一s一; D1 示次甲基,次内基或次丁基 R1示C1一C3 烷基; R2示C1 -C3 烷基; R3示C1一C3 烷基或苯基; R4 示C1 一C3 烷基,C2 一C4 烯基,:苯基,或上开之烷基被胺基, 氰根,羟基或一CONH2 所取代; R5示C2一 C4 烯基或C1 一C3 烷基而任意被胺基,氰基,羟基或一 CONH2 所取代; R6示C1一 C3 烷基,C2 一C4 烯基或C1 一C3 烷基而任意被胺基, 氰基,羟基或一CONH2 所取代; x示0至100之値; y示0至20之値;而 2示0至20之値。 36.如请求专利部份第32.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚合组成物, 其中, v示O; Z示一O一; D1 示次甲基或次丁基; R1示甲基; R2示甲基; R3示甲基或苯基; R4 示甲基,乙烯基或苯基; R5示乙烯基,甲基,乙基或丙 基而任意被胺基,氰基,羟基或 一CONH2 所取代者; R6 示甲基,乙烯基或甲基,乙 基或丙基而任置被胺基,氰基,羟基 或一CONH2 所取代者; x示0至]00之値; y示0至20之値;而 2示0至10之値。 37.如请求专利部份第23.项之一种方法, 此方法系用以制造一种聚合组成物, 其中 Q示经取代或未经取代之杂环, 而其环之碳原子数为由15 至18 而杂原子则选自N,O及S; D示枝链或直链型C3 一12次 烷基;而 x,y及z示0至l00之値。 38.如请求专利部份第37.项之一种方法, 此方系用以制造一种聚合组成物, 其中,杂环核系 啶基, 基,嘧 啶基, 基, 喃基, 吩基, 咯琳 , 基,苯并 基,苯并 吩基, 满基, 基或 基 。 39.制备一种乙矽氧烷之一种方法,包括 :令下式所示之一种化合物 Fl一Q一Z一M 式中, F1 示一种直接连结至Q或经由 一种中间基团而连结至 Q之官能性基团, Q示一种经取代或未经取代之芳 族基团; z示 M示一种硷金属或硷土金属,与 下式所示之一种乙矽氧烷 式中, X示Cl,Br或I; D示未经取代或经取代之次烃基 ;而 R1示未经取代或经取代之烃基 ,于一 于一种偶极性非质子性液体,一 种相转移触媒或二种之综合物的存在 下起反应。 40.如请求专利部份第39.项之上种方法, 其中,反应系于一大气压下,于由 20。至200。C之温度进行。 41.如请求专利部份第39.项之一种方法, 其中,偶极性非质子性液体乃包括二 甲亚 ,N,N一二甲基醯胺,四甲 基 ,N一甲基一2一 咯烷酮或六 甲磷酸三醯胺。 42.如请求专利部份第39.项之一种方法, 其中,偶极性非质子性液体包含由l %至100%重之反应触媒。 43.如请求专利部份第39.项之一种方法, 其中,相转移触媒包含磷,砷,氮, 锑或鈊之四级 衍生物(quateernary nium derivative ),一种巨环型 冕醚(macrocyclic crown ether )或一种cryptate。 44.如请求专利部份第39.项之一种方法, 其中,相转移触媒包含下式所示之一 种四级 化合物。 式中, R分别选自 C1一c20烷基, C2 一C20烯基。 C6一C20芳基, C7 一C40芳基次烷基或烷基次 芳基, M示P,As,N,Sb或Bi; X示一阴离子;而 y示l以上之値,用以平衡电荷 者。 45.如请求专利部份第44.项之一种方法, 其中 M示P或N;而 X示一卤素离子。 46.如请求专利部份第39.项之一种方法, 其中,相转移触媒以由0.1至10 mole%之量存在者。 47.如请求专利部份第43.项之一种方法, 其中,相转移触媒包含选自如下群属 之一种巨环型冕醚: 二苯并-18-冕-6, 二环己基一18一冕一6, 18一冕一6, 苯并一15一 冕一5, 12一冕一4, 环己基一15一冕及 八甲基四次 喃基。 |
