晶质层之剥离方法

主权项

1.自基材剥离结晶性层之方法,其中,在该基材与该结晶性层之界面的材料,熔点温度比该结晶性层为低,本法包括如下步骤,将该界面之材料加热,使该界面处之材料至少部份液化,藉在该液化材料区对该结晶性属呈现电力,而自该基材的该液化材料处剥离该结晶性层者。2.如请求专利部份第1.项之方法,其中,该电力系以作用于该结晶性层之电场呈现者。3.如请求专利部份第2.项之方法,其中,该电场是藉在该基材与在该液化材料处位于邻接但离开该结晶性层之导电结构间,连接电场发生器而呈现者。