| 主权项 |
1.如下式太咯新衍生物之制法 式中R1-a为- (但R5 为氢或可被羟基取代之低烷 基,R′5为氢或可被羟基取 代之低烷基; 基,苯乙基 ,或C3-6环烷基); -N(CH2)n(n为4- 12之整数)而可取代以氧 基,羟基,低烷基,或羟低 烷基;或各可取代以低烷基 之咪唑基,吗 基或 基 ; R2为氢或低烷醯; R3为甲基或-CH2CHO; R4为氢或羟基; 此包括令如下式化合物 式中X为卤素,R′a为甲基或-CH2 -保护之醛基,R4同上式之 规定, 与如下式化合物反应 式中R1-a同上式之规定。 然后若产品R′a之为-CH2-保护之 醛基,则()释放醛基之保护基,或 ─(a)令此产品与如下式羧酸化 合物或其反应性衍生物反应 低烷基- (b)用醇处理反应产品,(c)释放基之保 护基, 化合物(Ⅱ)与化合物(Ⅲ)之 反应可在如四氢 喃,乙 ,二 烷 ,二甲基甲醯胺,二甲亚 等有机溶 剂中于室温或加热下进行, 醛基之保护基之释放常可在水之 存在下用如三氟乙酸,三氯乙酸等有 机酸,或如盐酸,硫酸等无机酸处理 产品来进行, R2′为-CH2-保护之醛基之化 合物(Ⅱ)与化合物(Ⅲ)之反应产 品与化合物(Ⅳ)或其反应性衍生物 之反应可在如 啶,三乙胺,三甲 啶等硷性溶剂,或如丙酮,二甲亚 ,二甲基甲醯胺等有机溶剂中而有上 述 啶,三乙胺,三甲 啶等之存在 下,于室温或加热下进行,若化合物 (Ⅳ)用呈自由酸者,则宜用如N, N′-二环己基碳化二亚胺,N,N′ -羰基咪唑等缩合剂,藉此反应,不 仅在3-位之羟基,且在2′-位之 羟基(又若R4为羟基,则在4′- 位之羟基)亦同时转变成低烷醯氧基 ,故反应产品乃放置在室温或加热之 如甲醇,乙醇等醇中以水解在2′- 位(及在4′-位)之烷醯氧基, 若化合物(Ⅲ)中之R1-a为如 啶酮等具有氧基之基,则宜用其氧 基被保护呈二甲基醛酮等之化合物2.如下式太咯 新衍生物之制法 式中R5′为低烷基,R7为低烷基, 芳基,芳烷基, 喃基或 啶基,R4为氢或羟基, 此包括(a)令如下式化合物 式中X为卤素,R4同上式之规定, 与如下式羧酸化合物或其反应性衍生 物反应 低烷基- (b)令产品与如下式化合物反应 式中R5′同上,而得如下式化合物 式中R4′为氢或低烷醯氧基,R5′同 上, (c)令产品与如下式羧酸化合物或其 反应性衍生物反应 式中R7同上, (d)将反应产品以醇处理, (e)释放醛基之保护基, R3′为被保护醛基之化合物(Ⅱ) 与化合物(Ⅳ)或其反应性衍生物之 反应可在如乙 ,丙酮,二甲亚 , 二 烷等非质子性溶剂中于室温或冷 却下反应,使在3位之羟基不转变为 低烷醯, 然后反应产品与化合物(Ⅴ)之 反应可在上述溶剂中加热,宜在回流 下进行, 化合物(Ⅵ)与化合物(Ⅶ)或 其反应性衍生物反应可在上述溶剂中 于室温进行,若在此反应中用化合物 (Ⅶ),则宜用如N,N′-二环己 基碳化二亚胺,N,N′-羰基咪唑 等缩合剂, 此产品之用醇处理可将此产品在 如甲醇、乙醇等醇中放置于室温或加 热,醛基之保护基可仿请求专利部份 第1.项去除。3.如下式太咯新衍生物之制法 式中R4为氢或羟基,R4为 (但R9及R10可相同 或相异,各为氢或低烷基,或R8及 R9可结合成C2-7次烷基),或- S-R11(但R11为 啶-2-基) , 此包括(a)令如下式化合物 式中R3′为氢或低烷醯氧基, 与如下式化合物 式中X及X′为相同或相异之卤素, 在如 啶,三乙胺等硷性溶剂中在冷 却下反应而得如下式化合物 式中X及X′同上, (b)令产品与如下式化合物反应 式中R9及R10同上,或与如下式化 合物反应 式中R12为硷金属原子,R11同上, 在如乙 ,四氢 喃,二 烷,二甲 基甲醯胺,二甲亚 等有机溶剂中于 室温反应, (c)将产品以醇处理, (d)释放醛基之保护基,依请求专利部 份第1.项进行。4.如下式19-去羟基-4′-去氧霉 胺糖基太咯之制法 此包括令4′-去氧霉胺糖基太咯与 氯化三(三苯膦)铑反应, 此反应可在如苯,甲苯,二甲苯 等有机溶剂中,于室温至350℃,宜 在氮气流中进行。5.如下式太咯新衍生物之制法 式中X为卤素,R4为氢或羟基, 此包括令如下式化合物卤化 式中R4同上, 此卤化作用可用如氯,溴,碘, 四氯化碳,四溴化碳,四碘化碳等卤 化剂在室温或冷却(宜冰冷)下进行 ,宜加三苯膦来加速反应,必要时可 在反应系加如此 啶等硷,这此添加 剂有此可当作溶剂,必要时可用如乙 ,四氢 喃,二 烷等溶剂。6.如下式太咯新衍生物之 制法 式中R1-a为二甲胺基,而R4为羟 基, 此包括(a)将如下式化合物予以触媒还 原 式中R4同上,(b)将产品卤,(c)令 卤化产品与如下式化合物反应 R1-a-H 式中R1-a同上,(d)释放醛基之 保护基, 化合物(ⅩⅣ)之触媒还原可在如 钯,铂,铂黑等触媒之存在下,在如 甲醇,乙醇,乙醚,四氢 喃,乙酸 乙酯等有机溶剂中导入氢气来进行。 上述产品之卤化作用可在如 啶 ,乙 ,四氢 喃,二 烷等有机溶 剂中于室温或冷却下进行,在此场合 ,尤宜在冰冷下在氮气流中卤化,至 于卤化剂,可用请求专利部份第5.项 所用之卤化剂,在此卤化步骤,可于 反应系加三苯膦,必要时加如 啶等 硷来加速之, 上述卤化化合物与化合物(Ⅲ) 之反应可在如四氢 喃,乙 ,二 烷,二甲基甲醯胺,二甲亚 等有机 溶剂中于室温或加热下进行。 醛基之保护基可依请求专利部份 第1.项去除。7.如下式太咯新衍生物之制法 式中R1-a为二甲胺基, R4为羟基, 此包括(a)将如下式化合物 式中R1-a及R4同上式之规定,用 氢化之金属错物如氢硼化钠,氢化 锂铝等,在如甲醇,乙醇,四氢 喃 ,苯,甲苯等有机溶剂中在冷却下还 原,(b)释放醛基之保护基,依请求专 利部份第1.项进行。8.如下式太咯新衍生物之制法 式中R1-b为羟基;或二甲胺基, R4为氢或羟基, 此包括(a)令如下式化合物 式中R1-b及R4同上,用过甲酸, 过乙酸,过苯甲酸等,在如氯仿,乙 酸乙酯,二氯甲烷,乙 ,二 烷, 二甲基甲醯胺,二甲亚 等有机溶剂 中处理,(b)将产品以三苯膦在上述溶 剂中加热,宜在氩气流中回流处理, (c)释放醛基之保护基,依请求专利部 份第1.项进行。9.如下式太咯新衍生物之制法 式中R4为氢或羟基,此包括(a)令如 下式化合物 式中X为卤素,R4同上,在如二甲 基甲醯胺,丙酮,乙 ,四氢 喃等 有机溶剂中在加热下与叠氮化钠反应 ,(b)将产品用氯化铬水溶液在如丙酮 ,乙 ,四氢 喃,甲醇,有机溶剂 中,冷却下,宜在氩气蒙气中进行处 理,(c)释放醛基之保护基,依请求专 利部份第1.项之方法进行。10.如下式太咯新衍生 物之制法 式中R4为氢或羟基,R6〞为氢或低 烷基,R7′为低烷基,芳基或芳烷基 , 此包括(a)令如下式化合物 式中R4及R5〞同上,与如下式化合 物 式中X为卤素,R7〞同上,在如含水 甲醇,含水乙醇,含水丙酮,含水四 氢 喃等含水有机溶剂中于室温反应 ,(b)释放醛基之保护基,依请求专利 部份第1.项之方法进行。11.如下式太咯新衍生物 之制法 式中R4为氢或羟基,R7′为低烷基 或芳基, 此包括(a)令如下式化合物 式中R4同上,与如下式化合物或其 反应性衍生物 式中R7′同上,在如同请求专利部份 第10.项中步骤(a)之反应条件下反应, (b)仿请求专利部份第1.项释放醛基之 保护基。12.如下式太咯新衍生物之制法 式中R4为氢或羟基,R5〞为氢或低 烷基,R12为单,二或三氟甲基,此 包括(a)令如下式化合物 式中R4及R5〞同上,与如下式化合 物反应 式中R13同上,在如苯,二甲基甲醯 胺等有机溶剂中,在加热下,宜在如 三乙胺, 啶等硷之存在下反应,(b) 仿请求专利部份第1.项释放醛基之保 护基。13.如下式太咯新衍生物之制法 式中R4为氢或羟基,R5′为低烷基 ,R5〞为氢或低基,此包括(a)令如 下式化合物 式中R4同上,与低烷基卤化物在如 乙 ,丙酮,二甲基甲醯胺等有机溶 剂中加热下反应,(b)释放醛基之保护 基,依请求专利部份第1.项之方法进 行。 |
