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Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Zwischenträgers (2) mit einer Trägeroberseite (20), – Anbringen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf der Trägeroberseite (20), wobei die Halbleiterchips (3) voneinander beabstandet sind, – Erstellen eines Formkörpers (4), der die Halbleiterchips (3) in lateraler Richtung ringsum unmittelbar umgibt und mechanisch dauerhaft miteinander verbindet, wobei mindestens eine Hauptseite (30) der Halbleiterchips (3) frei bleibt von einem Material des Formkörpers (4), – Entfernen des Zwischenträgers (2), und – Aufbringen eines Wärmespreizers (6) an dem Zwischenträger (2) abgewandten Unterseiten (35, 45) der Halbleiterchips (3) und des Formkörpers (4) nach dem Erstellen des Formkörpers (4) und nach dem Entfernen des Zwischenträgers (2), wobei – eine Dicke des Wärmespreizers (6) zwischen einschließlich 10 μm und 250 μm beträgt, und – der Wärmespreizer (6) elektrisch leitfähig ist und zu mindestens zwei elektrischen Kontaktstellen (65) des Halbleiterbauteils (1) gefertigt wird, wobei der Formkörper (4) zwei elektrische Durchführungen (5a, 5b) aufweist, über welche eine elektrische Verbindung von einer Körperoberseite zu einer Unterseite des Formkörpers (4) hergestellt wird, und durch die zwei Durchführungen (5a, 5b) eine elektrische Verbindung zwischen Kontaktstellen (36) der Halbleiterchips und dem Wärmespreizer (6) hergestellt wird. |
