| 发明名称 |
PROCESS FOR FORMING AND LOCATING BURIED LAYERS. |
| 摘要 |
Procédé de formation de régions espacées verticalement sur un substrat (10) de circuit intégré. Une ou plusieurs gorges (28) sont formées dans des régions inactives de substrat, alors que la surface restante du substrat reste essentiellement plate. Lorsqu'une couche épitaxiale (30) est déposée sur le substrat, les gorges du substrat provoquent la formation de gorges correspondantes (32) dans la surface exposée de la couche épitaxiale. De telles gorges sont utiles comme marques d'alignement pour le positionnement correct des masques utilisés pour déterminer des régions actives à la surface de la couche épitaxiale. |
| 申请公布号 |
EP0174986(A1) |
申请公布日期 |
1986.03.26 |
| 申请号 |
EP19850901701 |
申请日期 |
1985.03.04 |
| 申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC. |
发明人 |
HATCHER, OWEN, W. |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/20;H01L21/30;H01L21/3065;H01L21/74;H01L23/544;(IPC1-7):B44C1/22;B05D5/12;C03C15/00;H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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