| 摘要 |
Un procédé de fabrication d'une structure MOS de circuit de porte à tranchée comprend la formation d'une tranchée ayant des parois latérales sensibles verticales pénétrant dans la surface d'un substrat semiconducteur, la formation d'une couche diélectrique de porte recouvrant le fond et les parois latérales de la tranchée, la formation d'une électrode de porte sur la couche diélectrique de porte, la formation de zones de source et de drain dans la surface du substrat, ces zones de source et de drain étant séparées l'une de l'autre par la tranchée, et la formation d'une zone d'implant (30) au-dessous ou près du fond de la tranchée, séparant la zone de source de la zone de drain. La région d'implant a un niveau de dopage supérieur à celui du matériau environnant. |
