PROCESS FOR FORMING DIFFUSION REGIONS IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE.

摘要

Procédé de formation de régions de diffusion (12) dans un substrat semiconducteur (40), dans lequel des tranchées (43) sont formées dans la surface du substrat, une couche isolante dopée (49) est formée sur la surface du substrat et sur les parois latérales (46) et les fonds (4) des tranchées et une attaque anisotropique est utilisée pour éliminer le matériau isolant dopé, sauf dans des sections (49V) des parois latérales des tranchées (46). Une étape de chauffe déplace ensuite le dopant depuis les sections (49V) vers le substrat semiconducteur (40), formant ainsi de minces régions de diffusion (12) à proximité des parois latérales des tranchées (46). Les tranchées sont alors remplies de matériau diélectrique (51). Les régions de diffusion (12) peuvent être utilisées comme arrêts de canaux étroits pour structures à MOS complémentaire dans le substrat (40).