| 摘要 |
Le procédé de production ci-décrit se rapporte à des pistes d'interconnexions métalliques dont l'épaisseur est égale ou supérieure à la moitié de leur largeur, afin d'obtenir un espacement plus étroit entre les composants du circuit intégré et, partant, une meilleure utilisation de l'espace entre les surfaces des semi-conducteurs. Ledit procédé (fig. 3) utilise la dépôt d'un film diélectrique (7) relativement fin (2 mum) et la délinéation dudit film (7) à l'aide d'un masque résistant à la corrosion (9) ainsi qu'une technique d'attaque anisotropique permettant de définir des canaux profonds d'une largeur inférieure ou égale à deux microns devant contenir le métal d'interconnexion. Le métal (13) est déposé par une technique analogue permettant de remplir les canaux et de retirer ensuite le métal excédentaire, afin de définir une structure d'interconnexion, formée des pistes métalliques (15). Dans un mode de réalisation décrit, le matériau diélectrique de polyimides est attaqué par du plasma d'oxygène à l'aide d'un masque de tungstène, le métal de tungstène formant l'interconnexion étant déposé par dépôt en phase gazeuse par procédé chimique à base pression. Dans une variante, un matériau diélectrique au bioxyde de silicium et des masques d'aluminium ainsi qu'un matériau de métallisation peuvent être utilisés avec des décapants appropriés. |
