发明名称 |
LATERAL TYPE INSULATED GATE TRANSISTOR WITH IMPROVED LATCH-UP PROTECTIVE PERFORMANCE |
摘要 |
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申请公布号 |
JPS62189758(A) |
申请公布日期 |
1987.08.19 |
申请号 |
JP19860278905 |
申请日期 |
1986.11.25 |
申请人 |
GENERAL ELECTRIC CO <GE> |
发明人 |
MAIKERU SUCHIYUAATO ADERAA;DEBA NARAYAN PATANAYAKU |
分类号 |
H01L29/78;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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