| 摘要 |
<p>Le dispositif comprend : un substrat (8) comportant une première (10) et une seconde (6) faces opposées, la première face étant recouverte d'un film de dopant (12) et étant apte à être disposée en regard du matériau (14) tout en maintenant un espace (18) entre le film et le matériau ; une source (2) engendrant un faisceau laser (4), collimaté et pulsé, d'une longueur d'onde donnée, dirigé sur la seconde face du substrat transparent à ladite longueur d'onde, ce faisceau laser étant apte à interagir avec le film de dopant pour former des ions de dopant par vaporisation explosive dudit dopant, et des moyens électriques (20, 22) pour engendrer simultanément à l'impulsion laser, un champ électrique ( ?) dans ledit espace pour accélérer les ions de dopant en vue de leur implantation thermo-ionique dans le matériau. Application au traitement des métaux et alliages.</p> |
