PARTIALLY DIELECTRICALLY ISOLATED SEMICONDUCTOR DEVICES.

摘要

Transistors MOS dans lesquels les contacts de source et de drain (26a-b) sont isolés du substrat commun (10) et sont formés en utilisant le conducteur de porte (17b-d) pour masquer un implant (18) à haute énergie et dose élevée qui crée une mince région diélectrique (19c) dans le corps du substrat commun (10) au-dessous des régions de source et de drain (10c), mais non pas au-dessous de la région de canal (10e). Pour des substrats en silicium monocristallins, on préfère l'utilisation d'ions (18) oxygène et azote pour former la région diélectrique noyée (19c). La porte conductrice (17b-d) doit être suffisamment épaisse pour empêcher que les ions (18) oxygène ou azote implantés n'atteignent le diélectrique de porte sous-jacent (11a) ou la partie du substrat (10e) au-dessous de la porte (17b-d). Cela garantit que la porte (17d) et la région de canal (10e) du dispositif (9) ne seront pas endommagées par l'implant, ce qui autrement pourrait se produire pendant la formation des régions diélectriques noyées (19c). Des parois d'isolation diélectrique (16) sont disposées de manière avantageuse latéralement à l'extérieur des régions de source-drain (10c). Les régions de source-drain (10c) et de porte (17d) s'alignent automatiquement entre elles. On utilise généralement des doses d'oxygène d'implants correspondant à 1,7-2,2 x 1018 ions/cm2 à une énergie d'environ 150Kev pour former la couche diéletrique noyée (19c).