发明名称 电子零件之搭接用薄片及利用该搭接用薄片之电子零件之搭接方法
摘要
申请公布号 TW099864 申请公布日期 1988.06.01
申请号 TW076105269 申请日期 1987.09.07
申请人 东芝股份有限公司 发明人 久保田子;中野博隆;吉野常一;林信雄;森田广
分类号 H05K3/06;H05K13/00 主分类号 H05K3/06
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种电子零件之搭接用薄片,其特征 为包括:具有开孔之基板,及对应于 开孔而配置在基板上之低融点接合金 属。2.如申请专利范围第1.项之薄片,其中 ,以低融点接合金属将开孔闭合。3.如申请专利范 围第1.项之薄片,其中 ,将低融点接合金属设在基板上使其 从基板之开口端部朝开口部突出。4.如申请专利 范围第1.项之薄片,其中 ,低融点接合金属系低融点活性金属 。5.如申请专利范围第4.项之薄片,其中 ,低融点接合金属系以低融点焊锡合 金及提高分界面之接合性之元素作为 主成分之金属。6.如申请专利范围第4.项之薄片, 其中 ,低融点接合金属系以低融点焊锡合 金,与氧之亲和力强之元素,及提高 分界面之接合性之元素为主成分之金 属。7.如申请专利范围第5.项或第6.项之薄 片,其中,低融点焊锡合金系以从 Pb、Sn、Zn、Cd、Bi中之2个选 ,出之元素In为主成分之合金。8.如申请专利范围 第5.项或第6.项之薄 片,其中,提高分界面之接合性之元 素系Sb。9.申请专利范围第6.项之薄片,其中, 与氧之亲和力强之元素为Zn、A 、 Ti、Si、Cr、Be,稀土类元素中之 至少l种。10.如申请专利范围第7.项之薄片,其中 ,低融点接合金属系以Pb-Sn-In 为主成分,Zn-Sb为副添加物,而 以微量之A 、Ti、Si、Cr、Be为 添加物之合金。11.一种电子零件之搭接方法,其特 征为 至少包括:在电子零件之电极端子与 具有电连接于该电子零件之电极端子 之导体图型之配线基板之间,对应于 具有开孔之基板开孔配置基板上配设 有低融点接合金属之搭接用薄片之第 1制程;及经由低融点接合金属将电 子零件之电极端子与配线基板之导体 图型予以接合之第2制程。12.如申请专利范围第11. 项之方法,其中 ,将低融点接合金属加热至其融点以 下之温度而将电子零件之电极端子与 配线基板之导体图型予以热压接。13.如申请专利 范围第11.项之方,其中, 电连接于电子零件之电极端子之电子 零件之导体图型为透明导电膜。14.如申请专利范 围第13.项之方法,其中 ,透明导电膜为SnO2,In2O3.I﹒ T.O.中之任一种。15.如申请专利范围第11.项之方法 ,其中 ,电子零件为半导体积体电路元件。16.如申请专利 范围第15.项之方法,其中 ,电子零件之电极端子系由A 构成17.如申请专利范 围第15.项之方法,其中 ,电子零件之电极端子系由A 与 Au,或A 与Sn层叠而构成。
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