UN DISPOSITIVO SEMICONDUCIR QUE INCLUYE UNA CAPA EPITAXIAL SOBRE UN SUSTRATO MONOCRISTALINO DE RED DESEQUILIBRADA

摘要

SE PUEDEN DESARROLLAR CAPAS EPITAXIALES LIBRES DE DISLOCACION (43) SOBRE LAS SUPERFICIES (42) DE SUSTRATOS MONOCRISTALINOS DE RED CRISTALINA DESEQUILIBRADA (41), TAL COMO GERMANIO O ARSENURO DE GALIO SOBRE SILICIO, CON LA CONDICION DE QUE LAS SUPERFICIES SE ENCUENTREN ADECUADAMENTE MODELADAS, TAL COMO ALMENADAS O POROSAS (FIGURA 4).