STRUCTURE DE TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE

摘要

La présente invention concerne une structure de transistors MOS de puissance en parallèle dont chacun comprend sur une même face d'un substrat des zones de contact de grille, de source et de drain et trois niveaux de couches de connexion. Le premier niveau de couche de connexion 20 établit un contact avec toutes les grilles et une liaison entre chaque grille et les grilles adjacentes. Un deuxième niveau de couche de connexion établit un contact avec toutes les zones de source 22 et de drain 23 et une liaison entre chaque zone de source (ou de drain) et les zones de source (ou de drain) adjacentes, des ouvertures isolant chaque contact de drain (ou de source). Un troisième niveau de couche de connexion 25 continu établit un contact avec toutes les zones de drain (ou de source) du deuxième niveau de couche de connexion.