| 主权项 |
1.一半导体元件之保护电路,其中此电路与一被保护之功率半导体元件串联且此电路一断路器和一包括PTC电阻元件之限流元件所构成,其中所述PTC电阻元件由一某电阻随温度之升高而突然增加之陶瓷形成,该PTC电阻元件接于金属电极间,且该PTC电阻元件之成份由(V1-XAX)23表示,其中A为从至少一包含铬、铝和钪之集合体选出之元素,又表一O≦ X≦O.02之莫尔比(molarratio)其特征为所述PTC电阻元件提供一平行之组合且各具有一5至100毫米 之截面积。2.如专利申请范围第1项之一半导体元件之保护电路,其中所述PTC电阻元件具有一方形之截面积。3.如专利申请范围第1项之一半导体元年之保护电路,其中所述PTC电阻元件包含至少一铁、镍、钴、铜和锡元素之重量少于20%。4.如专利申请范围第1项之一半导体元件之保护电路,其中所述断路器为一高速限流型。图示简单说明:图1显示一依照本创作之一实施例之包含用来保护半导体元件之电路之电子电路;图2为一断示相对于一如图1之保护电硌用之限流元件之温度之电阻系数之改变之图;图3为一显示在图1所示之保护电路上完成一短路测试结果之图;图4为一题示有关于PTC电阻元件之截面积而不引起破裂之最大容许电流密度之改变之特性曲线;及图5A和图5B,6B和6B显示本创作之一pTC电阻。 |
