| 主权项 |
1.热阴极式放电灯装置,其包含:一放电灯用管;一接近圆柱形,以半导体瓷料制成,装设于管内并将其纵向外周表面作为放电表面的阴极构件;及连接于阴极电极构件纵向两端,且贯穿管末端部份的两支引线者。2.如申请专利范围第1项记载之热阴极式放电灯装置,其中,其半导体瓷料为原子价补偿式半导体瓷料,或强制还原式半导体瓷料,或同时使用两者之半导体瓷料者。3.如申请专利范围第1项记载之热阴极式放电装置,其中,该半导体瓷料主要成份乃选自钛、钡、锶、钙、镧、锆及锡之氧化物中之一种,或两种或以上者。4.如申请专利范围第1项记载之热阴极式放电灯装置,其中,其半导体瓷料具有原子价补偿半导体形成剂之添加剂,而该半导体形成济乃选自Y、Dy、Hf、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Ho、Er、Tb、Sb、Nd、W、Yb、Sc及Ta中之一种或两种或以上者。5.如申请专利范围第1项记载之热阴极式放电灯装置,其中,该阴极电极构件包含设有直线状放电表面的圆柱形底座,及设在底座两端部之引线连接部:而该引线连接部份乃由引线所支持者。6.如申请专利范围第5项记载之热阴极式放电灯装置,其中,阴极电极构件之引线连接部乃被形成为其直径小于圆柱形底座之直径者。7.如申请专利范围第5项记载之热阴极式放电灯装置,其中,阴极电极构件之引线连接部份乃在其表面涂敷有导电薄膜者。8.如申请专利范围第5项记载之热阴极式放电灯装置,其中,阴极电极构件之引线连接部份乃被切刻成为沟状者。图示简单说明:图1为本创作放电橙装置具体例要部之剖面图;图2为图1中阴极电极构件之修改之剖面图:图3为本创作阴极电极试验装置之概略图;图4为表示阴极电极实验资料之图表;图5为本创作放电灯装置其他具体例要部之剖面图;图6a为图5中阴极电极构件之侧面图;图6b为图5中阴极电极构件之修改之剖面图;图7为本创作放电灯装置其他具体例要部之剖面图;图8为图7中阴极电极之正面图;图9为图7中阴极电极构件之修改之剖面图。 |
