| 主权项 |
1﹒一种光学读/录资讯储存装置,包括:液 晶资讯储存装置,用以储存写录其中之资 讯,且可予受读取,包括在包容介质内许 多液晶材料容积,该储存装置能接受第一 能量输入以假定和储存一可侦检输出状况 ,且能接受第二能量输入以假定和储存第 二可侦检输出状况,写录装置,用以供输 此能量输入予储存装置,读取装置,用以 侦检该储存装置之此等输出状况,该写录 装置包括至少下列一者以提供能量输入: (a)电荷积集装置,用于使电荷积集于 此储存装置上,其中该储存装置之作用为 至少暂时储存此等电荷于其表面上,而此 等电荷之作用则为使液晶材料完成结构校 准,(b)光学装置,用以提供光能量至 该储存装置之选定部位上,其中该光学装 置提供能量使液晶材料提升至其之等向相 转换程度,且该液晶材料系与该包容介质 之表面装置相配合,俾在冷却至此等向转 换点之下时进行畸变结构校准,该液晶材 料有一异于该包容介质折射指数之特别折 射指数俾在畸变校准时使光散射该液晶材 料有一正常折射指数至少大体上与包容介 质之折射指数匹配,俾当该液晶材料构造 上与穿经其间之较佳光线传播方向相平行 校准时,减少入射光之散射。 2﹒根据上述申请专利范围第1项所述之装置 ,其中该读取装置包括有光学读取装置, 用以侦和光是否系已被此等各容积之液晶 材料所传轮抑散射。 3﹒根据上述申请专利范围第2项所述之装置 ,尚包括电脑装置,用以控制其写录装置 和读取装置之运作遂行所述储存装置资讯 之写录和读取。 4﹒根据上述申请专利范围第1项所述之装置 ,该储存装置之作用为于每一平方微米储 存约一位元之资讯。 5﹒根据上述申请专利范围第4项所述之装置 ,该储存装置包括具有深度之磁碟般构件 ,其作用为使资讯储存于其中之许多深处 。 6﹒根据上述申请专利范围第5项所述之装置 ,该读取装置包括有装置,以读取该储存 介质中不同深度之资讯。 7﹒根据上述申请专利范围第5项所述之装置 ,其中写录每一位元资讯之概略能量约为 1﹒25x10^12焦耳。 8﹒根据上述申请专利范围第1项所述之装置 ,该电荷积集装置包括有尖电极,用以将 电场施加在液晶装置上。 9﹒根据上述申请专利范围第8项所述之装置 ,该尖电极包括有一电极尖端,其尖端部 大致为圆球状。 10﹒根据上述申请专利范围第8项所述之装置 ,该尖电极包括有一弯曲电极端,其曲半 径约为1微米。 11﹒根据上述申请专利范围第8项所述之装置 ,尚包括有导电屏蔽,至少包围该尖电极 之一部份。 12﹒根据上述申请专利范围第11项所述之装 置,尚包括电能量装置,用以施加电能至 该尖电极,该储存装置包括在其表面之另 一电极;且进一步包括有装置用以在至该 尖电极之电能为电能装置所改变时,使该 另一电极保持一相当固定之基准电位。 13﹒根据上述申请专利范围第8项所述之装置 ,尚包括该储存装置一表面上之另一电极 ,用以施加电能至该另一电极之电能装置 ,且进一步包括有装置,用以在至该另一 电极之电能为该电能装置所改变时,使该 尖电极保持相当固定之基准电位。 14﹒根据上述申请专利范围第1项所述之装置 ,其中该电荷积集装置含有一电荷产生传 输装置,包括有用以产生离子供应之电极 装置,以及用以控制离子自该供应传输至 该液晶装置之控制装置。 15﹒根据上述申请专利范围第14项所述之装 置,其中该电极装置包括保持间隔关系位 置且电性上可予激励以产生此等离子之电 极对,用以至少暂保留若干离子成为离子 集中场所之空穴装置,且该控制装置包括 有另一电极和用以使此另一电极与该电极 对中至少其一相对以改变其电压之装置。 10﹒根据上述申请专利范围第14项所述之装 置,其中该电极装置包括有电线和用以使 该电线从其中发出离子或电子之电能源, 而其控制装置包括另一电极和用以使此另 一电极之电压与该电线相对改变之装置。 17﹒根据上述申请专利范围第16项所述之装 置,其中该另一电极包括具有开口装置之 导电板状构作,用以使来自该电线之电子 通过其间至该液晶装置。 18﹒根据上述申请专利范围第1项所述之装置 ,尚包括抹消装置,用以使储存于该液晶 资讯储存装置上之资讯予以抹消,该抹消 装置包括申请专利范围第1项中另一写录 装置,其未用于对写录资讯提供能量输入 。 19﹒根据上述申请专利范围第18项所述之装 置,该抹消装置包括有该电荷积集装置, 且该电荷积集装包括有一尖电极,用以施 加电场至液晶储存装置。 20﹒根据上述申请专利范围第18项所述之装 置,该抹消装置包括该电荷积集装置,且 该电荷积集装置包括有电子产生装置,用 以产生该电荷,和用以控制电荷积集于液 晶资讯储存装置之控制装置,该控制装置 包括用以产生离子供应之电极装置,该电 极装置包括定位于间隔关系且在电性上可 予激励以产生此等离子之一对电极,用以 至少暂时保留许多离子成为离子集中场所 之空穴装置,又该控制装置另一电极和用 以改变此另一电极与所述电极对中至少其 一相对之电压之装置。 21﹒根据上述申请专利范围第18项所述之装 置,该抹消装置包括该电荷积集装置,且 该电荷积集装置包括有电极装置,其包括 一电线和用以使此电线使自其上发射离子 或电子之一电能源,又该控制装置包括另 一电框和用以改变此另一电极相对于电线 之电压之装置。 22﹒根据上述申请专利范围第1项所述之装置 ,该光学装置包括有导引入射电磁辐射朝 向此媒体之光学装置,和用以使此辐射聚 集于此媒体上之预定位置之条纹照相光学 装置。 23﹒根据上述申请专利范围第22项所述之装 置,此光学装置包括有热能成份之瞄准辐 射源,且该光学装置包括有装置,使此辐 射聚焦进入此媒体之规定容积内以使热能 集中于此容积内。 24﹒根据上述申请专利范围第23项所述之装 置,其中该抹消装置为该光学装置。 25﹒根据上述申请专利范围第24项所述之装 置,该储存装置有一深度特性且作用上可 在该复数处深度储存资讯。 26﹒根据上述申请专利范围第25项所述之装 置,该读取装置包括有装置,以便读取位 于该储存介质不同深度中之资讯。 27﹒根据上述申请专利范围第1至26项任一 项所述之装置,其中液晶之容积包括多色 染料,用以吸收入射于该液晶之热能,以 强化液晶内此一能量之吸收,而达成结构 校准之变化。 28﹒根据上述申请专利范围第1至第26项任 一项所述之装置,该液晶材料包括有蝶状 结构液晶。 29﹒一种液晶记忆器装置,包括有在包容介质 内操作之蝶状结构液晶,该运作上为蝶状 结构之液晶具有记忆特性,于其上无热能 输入时保留规定之结构校准,且有能量输 入装置,用以提供能量予该液晶,使其温 度上升至蝶状结构至列向相转换温度,俾 提供进一步之能量以满足热函需求而达成 此相转换,并使转换发生后会使温度上升 至相转换温度以上使另一能量输入减小至 最低限度。 30﹒使资讯储存于液晶记忆器装置之方法,此 装置包括在运作上为规定温度以下之蝶状 结构液晶,此液晶系在包容介质内,此一 在运作上系为蝶状结构之液晶具有记忆特 性,于其上无热能输入时保留规定之结构 校准,包括提供能量予此液晶以使其温度 上升至蝶状结构至列向相转换温度,另提 供能量至液晶以满足其热函需求以达成此 项相转换,以及使另一能量输入减小至最 低限,在相转换发生之后,此能量会使温 度上升至相转换温度之上。 31﹒一种光学读/录资讯储存装置,包括:液 晶资讯储存装置,用以储存写录其中之资 讯,且可予受读取,包括在包容介质内许 多液晶材料容积,该液晶材料具有许多可 予改变和储存之显明折射指数特性,该包 容介质具有折射指数,该材料和该包容介 质之折射指数系依选择而相配合,以使入 射光予以散射或传输,其中,入射光之放 射或传输系为可侦检而成为储存于储体内 资讯之表示,写录装置,用以供输此能量 输入予储存装置,及读取装置,藉着侦检 该液晶资讯储存装置上之光线射或传输, 以读取此资讯。 32﹒根据上述申请专利范围第31项所述之装 置,该储存装置能接受第一能量输入以假 定和储存一可侦检的出状况,且能接受第 二能量输入以假定和储存第二可侦检输出 状况。 33﹒根据上述申请专利范围第32项所述之装 置,该写入装置包括:电荷积集装置,用 于使电荷稽集于此储存装置上,其中该储 存装置之作用为至少暂时储存此等电荷于 其表面上,而此等电荷之作用则为使液晶 材料完成结构校准。 34﹒根据上述申请专利范围第32项所述之装 置,该写入装置包括光学装置,用以提供 光能量至该储存装置之选定部位上,其中 该光学装置提供能量使液晶材料提升至其 之等向相转换程度,且该液晶材料系与该 包容介质之表面装置相配合,俾在冷却至 此等向相转换点之下时由于与该表面装置 之相互作用而进行结构校准。 35﹒根据上述申请专利范围第34项所述之装 置,该晶材料具有与所述包容介质之折射 指数不相同之特别折射指数俾在畸变校准 时使光散射,以及该液晶材料具有之正常 折射指数至少大体与包容介质折射指数匹 配,因此当该液晶材料系与通经其间光线 之较佳传播方向在结构上大致平行校准时 ,得以减少入射光之散射。 36﹒根据上述申请专利范围第31项所述之装 置,其中该读取装置包括有光学读取装置 ,用以侦知光是否系已被此等各容积之液 晶材料所传输抑射。 37﹒根据上述申请专利范围第31项所述之装 置,尚包括电脑装置,用以控制其写录装 置和读取装置之运作遂行所述储存装置资 讯之写录和读取。 38﹒根据上述申请专利范围第31项所述之装 置,该储存装置之作用为于每一平方微米 储存约一位元之资讯。 39﹒根据上述申请专利范围第38项所述之装 置,该储存装置包括具有深度等特性之一 构件,且作用上为在其许多深处中储存资 讯。 40﹒根据上述申请专利范围第38项所述之装 置,该读取装置包括有装置,以便读取该 构件中不同深度之资讯。 41﹒根据上述申请专利范围第38项所述之装 置,其中写录每一位元资讯之概略能量约 为1﹒25X10^12焦耳。 42﹒根据上述申请专利范围第33项所述之装 置,尚包括有抹消装置,用以抹消储存于 该液晶资讯储存装置中之资讯,该抹消装 置包括光学装置,用以提供光能量至该储 存装置之一选定部位,其中该光学装置提 供能量使液晶材料能提升至其等向相转换 程度,以及该液晶材料系与该包容介质之 表面相配合,俾在冷却至此等向相转换点 之下时由于与该表面装置之相互作用而进 行结构校准。 43﹒根据上述申请专利范围第34项所述之装 置,尚包括抹消装置,用以抹消储存于该 液晶资讯储存装置中之资讯,该抹消装置 包括:电荷积集装置,用于使电荷积集于 此储存装置上,其中该储存装置之作用为 至少暂时储存此等电荷于其表面上,而此 等电荷之作用则为使液晶材料元成结构校 准。 44﹒根据上述申请专利范围第31项所述之装 置,该写录装置包括装置,用以提供能量 予该储存装置之选定部份以使液晶材料温 度上升至至少使其蝶状结构至列向相转换 温度,且该液晶材料系与该包容介质之表 面装置相配合,俾至至少达到或超乎此转 换温度时由于与该表面装置之相互作用而 进行结构校准。 45﹒根据上述申请专利范围第31至第44项 任一项所述之装置,其中液晶之该容积包 括多色染料,用以吸收入射于该液晶之热 能,以强化液晶内此一能量吸收而达成结 构校准之变化。 46﹒根据上述申请专利范围第31至第44项 任一项所述之装置,该液晶材料包括有蝶 状结构液晶。 47﹒根据上述申请专利范围第31至第44项 任一项所述之装置,该液晶材料会造成发 折射且该包容具有一折射指数,该液晶材 料且具有记忆特性以便使结构校准情形与 对应折射指数情形保留作为储存于其中资 讯之表示。 48﹒根据上述申请专利范围第31至第44项 任一项所述之装置,其中该包容介质与液 晶材料形成一蠂状构作。 49﹒根据上述申请专利范围第48项所述之装 置,尚包括有装置,用以旋转该蝶状构件 使相对于该写录装置与摆置不同的部位, 用以自其处写录与读取资讯。图示简单说明 图1为光学读取/写录储存媒体及利用根 据本发明之该媒体之系统之简略平面图; 图2为光学读取/写录储存媒体之片段简 略正视图,其读取光学装置未能实施光之侦检 ,因为光未受到液晶容积位元之散射; 图3为光学读取/写录储存媒体之片段简 略正视图,其读取光学装置侦检经由液晶容积 位元散射之光; 图4为光学读取/写录储存媒体之片段简 略正视图,显示其有效应用电荷以抹消储存于 媒体内之资讯; 图5为光学读取/写录储存媒体之片断简 略正视图,显示其写录光学装置写录于液晶容 积位元; 图6为根据本发明之光学读取/写录储存 媒体之片段简略正视图,使用若干液晶容积构 成一单一资讯位元; 图7为具多层写录能力之光学读取/写录 储存媒体装置另一实施例之片断简略正视图; 图8为具有多层读取能力之光学读取/写 录储存媒体装置另一实施例之片段简略正视图 ; 图9为光学读取/写录装置中之端型电电 荷施加装置片段简略正视图; 图10为光学读取/写录装置中之屏蔽端 型电荷施加装置片段简略正视图; 图11为光学读取/写录装置中之线放电 型电荷施加装置片段简略正视图; 图12为光学读取/写录装置施加电荷之 离子产生装置之片段简略正视图; 图13为产生电荷供使用于光学读取/写 录储存媒体之电晕产生装置之片段简略正视图 ; 图14为具有产生和施加光输入至光学读 取/写录装置之遮蔽罩之光学装置之片段简略 正视图; 图15为光学读取/写录装置之合成抹消 写录组合之片段简略正视图; 图16和17为含多色染料液晶容积,分 别依畸变或不规则及平行校准之简略说明图; |
