| 主权项 |
1﹒一种用于自一磁记录媒体读取资讯之装置,其构成包括一换能元件和一该换能元件配合之磁轭,磁轭配有第一磁通件和第二磁通导件,两者做局部性空间之分隔,所述装置并有一表面做为该换能元件与磁记录媒体间之耦合之用,其特点在于该换能元件系由一超导量子干涉器(SOUID)构成,备有连接连接检波电路之连接设备。2﹒根据申请专利范围第1项之装置,其中在于该等磁通导件之一贯穿该干涉器。3﹒根据申请专利范围第2项之装置,包括一基质,其上配置第一导磁层构成第一磁通导件,第二导磁层构成第二磁通导件,一换能间隙于该等导磁层之间延伸至用做磁通耦合之面,其中在于该干涉器系绕于第二导磁层,同时干涉器的一部份居于该两导磁层之间。4﹒根据申请专利范围第3项之装置,其中在于一超导材料之中间层配于第一导磁层与第二导磁层之间。5﹒根据申请专利范围第4项之装置,其中在于干涉器的所述部份呈现于中间层与第二导磁层之间。6﹒根据申请专利范围第1项之装置,其中在于一超导材料之绕组配绕于该等磁通导引件之一,该绕组利用一超导材料之电导体电感耦合至该干涉器。7﹒根据申请专利范围第6项之装置,包括一基质,其上配置第一导磁层构成该第一磁通导件,第二导磁层构成第二磁通导件,一换能间隙延伸至位于该等导磁层间之磁通耦合面,其中在于该绕组系设于第二导磁层周围,同时该绕组的一部份系居于两导磁层之间。8﹒根据申请专利范围第7项之装置,其中在于一超导材料之中间层系设于第一导磁层与第二导磁层之间。9﹒根据申请专利范围第8项之装置,其中在于绕组之所述部份呈现在中间层与第二导磁层之间。10﹒根据申请专利范围第7.8.9各项之装置,其中在于第三导磁层和第四导磁层亦设于该基质上,该等层形成变压器轭的一部份,而所述电导体系绕于变压器轭的一层上,且干涉器系配置于变压器轭一层之周围,干涉器的一部份呈现于变压器轭两导磁层之间。11﹒根据申请专利范围第10项之装置,其中在于另一超导材料之中间层系设于第三导磁层与第四导磁层之间。12﹒根据申请专利范围第11项之装置,其中在于干涉器之所述部份系呈现于该中间层与变压器轭的一导磁层之间。13﹒根据申请专利范围第3.4.7.8.9、11或12项之装置,其中在于该装置系以薄膜技术完成。14﹒根据申请专利范围第3.4.7.8.9、11或12项之装置,其中在于该装置配有一超导材料之保护性层。15﹒根据申请专利范围第2项之装置,其中在于该装置含一带有至少一个保护块由软磁性材料做成之磁心体,该保护块并有与磁记录媒体配合之接触面,另含一软磁材料之磁极元件自心体延伸至该接触面近傍,磁极元件构成第一磁通导件部份而心体构成第二磁通导件,且其特点为该干涉器系配置于磁极元件周围。16﹒根据申请专利范围第15项之装置,其中在于该保护性块至少一部份属软磁材料,且于磁极部份与保护性块之间留有至少容纳一部份干涉器之空间。17﹒根据申请专利范围第15或16项之装置,其中在于该极元件至少一部份系涂有一层超导材料。图示简单说明图(1)为一概略图表示依本发明以薄膜结构完成之装置的第一实例。图(2)概略显示一第二实例,部份以薄膜结构完成。图(3)概略显示第三实例,完全以薄膜结构完成。图(4)为第四实例之透视立体图。图(4a)为图(4)一细部之平面图。图(5)为第五实例之侧面图。图(6)为本发明装置之第六实例之侧面图。 |
