| 主权项 |
1.制造所要产物的方法,其中之原料气流在 接触渗透性薄膜以分离于该所要产物制造 时的有用成分与不希望存在其间的杂质之 前即经处理以减低有害于渗透性薄膜成分 之浓度,所改善之内容包括: (a)在可选择性地吸附所存在的有害成分 之压力回转吸附中,将原料气流在较高 吸附压力下通至吸附床之原料末端并且 使该原料气流之未吸附的有用成分在该 较高压力下自床之产物末端抽回而成为 无有害成分之已处理气流; (b)主要在较高及附压力将已处理气流通 至含能选择性地分离有用成分与不希望 存在其间的杂质之气体渗透性薄膜的分 离器区,以使该已处理气流中的有害成 分浓度在所需残留率范围内; (c)自分离器区分别抽回已处理气流之非 渗透性部份与渗透性部份,且其中之一 部份为含原料气流有用成分之纯化气体 ,另一部份则包含大量通至分离器之 己处理气流所含的杂质; (d)将自分离器区抽回的纯化气体使用于 所要产物的制造,该纯化气体或其中一 部份首先在低于较高吸附压力之压力下 经循理至PSA系之吸附床而成为移附来 自此床的包含制造所要产物时的产物气 与/或所需反应物之有害成分的清除气 ; (e)卸放含大量杂质之该气流为废物或作 其他用途,气流并在低于较高吸附压力 之压力下经循环至PSA系之吸附床而成 为移除来自此床的不含制造所需产物时 的所需反应物之有害成分的清除气,如 此可避免渗透性薄膜与该原料气流的有 害成分之不希望的接触。2.根据请专利部份第1项 的方法,其中纯 化气流包含自分离器区抽回之已处理气流 的渗透性部份。透性部份。3.根据请求专利部份 第1项的方法,其中该 已处理气流之渗透性部份在减压下循环至 PSA系而成为移除制造所要产物气时含产 物气与/或反应物的有害成分之清除气。4.根据请 求专利部份第3项的方法,其中已 处理气流之非渗透部份经卸放而为废物或 供作其他用途。5.根据请求专利部份第4项的方法, 其中该 原料气流含自氨合成回线移除之氨回线清 除气,此氨回线清除气并通至用以选择性 吸除氨的PSA系,其中之氨虽有害于渗透 性薄膜但含高价値的产物气。6.根据请求专利部 份第5项的方法,其中该 脱氨形式之已处理气流在减压下通至能选 择性地渗透氢与氮成分的气体渗透性薄膜 ,至于甲烷与氩等杂质则为非渗透性成分 。7.根据请求专利部份第6项方法,其中该 主要含PSA系卸放之乾燥清除废气及氢 、氮与脱附氨之纯化气流循环至氨回线。8.根据 请求专利部份第7项的方法,其中该 通至分离器区的已处理气流之氨浓度小于 0.5体积%。9.根据请求专利部份第8项的方法,其中 该 氨浓度自约0.1﹪至约0.5体积﹪。10.根据请求专利 部份第8项的方法,其中 该氨浓度小于0.1体积%。11.根据请求专利部份第10 项的方法,其中 该氨浓度自约10至约1000ppm。12.根据请求专利部份 第8项的方法,其中 该清除废气循环至通至氨回线之氨合成原 料气。13.根据请求专利部份第8项的方法,其中 该清除废气直接循环至氨合成回线。14.根据请求 专利部份第13项的方法,其中 该氨浓度自约0.1至约0.5体积%。15.根据请求专利部 份第13项的方法,其中 该氨浓度小于约0.1体积%。16.根据请求专利部份第 1项的方法,其中 该原料气流含自甲醇回线移除之甲醇合成 回线清除气,且此清除气通至PSA系以选 择性地脱除其中有害于渗透性薄膜的甲醇 。17.根据请求专利部份第2项的方法,其中 该原料气流包括含有害于渗透性薄膜的硫 心氢、水与碳氢化合物的天然气流以及关 于此所要天然气加工操作之在PSA系娙选 择性吸除的有害杂质。18.根据请求专利部份第17 项的方法,其中 该含二气化碳之已处理气流的非渗透部份 在减压下循环至PSA而成为移除有害于渗 透性薄膜的成分与关于所要加工操作的杂 质之清除气,至于PSA自系卸并含上述成 分的清除废气则卸放为废物或供作其他用 途。19.根据请求专利部份第1项的方法,其中 清除气在循环至吸除床之前先行加热以促 进来自此床之有害成分的脱除与移除。 |
