| 主权项 |
1.一种宽大面积离子电浆电子枪,包含有:一个主容器,具有一个中央区域和位于周边之气体不能渗透之壁区域,电子束射不能渗透之窗口被配置在让周边壁区域,和用来在其中建立低于大气压力之第一压力之装置;一个高电压区域,被配置成与该主容器中心对准,让高电压区域具有一个高电压电极穿入该主容器之壁并且具有伸长形横截面之二次放射靶标连接到该高电压电极;和一个辅助容器,邻近该主容器并且利用一通道与其连接,让辅助容器具有用来形成离子化电浆之装置和用来在其中建立低于大气压力之第二压力之装置,让第二压力大于该第一压力,让通道具有用来界定离子束射之轨迹之装置,让轨迹具有低入射角朝向主容器之高电压区域之二次放射靶标,让靶标放射二次电子其方向实质上对该离子束射之轨迹形成一个角度,让主容器具有束射形成装置用来引导该二次电子经由该窗口射在一个宽大面积配置区域上。2.如上述申请专利范围第l项所述之装置,其中该通道包含有一个伸长形之缝隙通常用来使该离子化电浆和讶高电压区域互相隔离。3.如上述申请专利范围第l项所述之装置,其中该用来界定离子之轨迹之该装置包含有磁场装置用来对该离子进行聚焦。4.如上述申请专利范围第l项所述之装置,其中用来界定离子之轨迹之该装置包含有用来对该离子束射进行聚焦之静电场装置。5.如上述申请专利范围第1项所述之装置,其中该低入射角小于30度。6.如上述申请专利范围第1项所述之装置,其中该低入射角小于8度。7.如上述申请专利范围第1项所述之装置,其中该低入射角在该二次放射靶标之上。8.如上述申请专利范围第1项所述之装置,其中该低入射角在该二次放射靶标之下。9.如上述申请专利范围第1项所述之装置,其中该多値辅助容器被配置成邻近该主容器并且利用一个通道与其连接,每一个辅助容器具有用来限制离子化电浆之装置和用来在其中建立低于大气压力之第二压力之装置,让第二压力大于该第一压力,让通道具有用来界定离子束射之轨迹之装置,让轨迹具有低入射角朝向主容器之高电压区域之二次放射靶标,该靶标放射二次电子其方向实质上对该离子束射之轨迹形成一个角度,该主容器具有束射形成装置用来引导该二次电子经由该窗口射在一个宽大面积配置区域上。10.如上述申请专利范围第1项所述之装置,其中该靶标包含有多値平行隔开之金属翼筋。11.如上述申专请利范围第I项所述之装置,其中该束射形成装置包含有多列平行隔开之金属翼筋。12.如上述申请专利范围第1项所述之装置,其中该主容器为圆筒形。13.如上述申请专利范围第1项所述之装置,其中该辅助容器为圆筒形并且具有一个气体供给容器与其连接。14.如上述申请专利范围第1项所述之装置,其中该第一压力小于1.0毫托。15.如上述申请专利范围第1项所述之装置,其中该第二压力在10至20毫托之范围。16.如上述申请专利范围第10项所述之装置,其中该主容器为圆筒形,具有一个长度方向之轴,和有多値辅助容器被配置在该主容器之相对侧,并且沿着该轴之纵向互相偏离。17.一种宽大面积电子枪,包含有:一个主容器,具有一个中央区域和位于周边之气体不能渗透之壁区域,电子束射不能渗透之窗口被配置在让周边壁区域,和用来在其中建立低于大气压力之第一压力之装置;一个高电压区域,被配置在该容器之该中央区域,让高电压区域具有一个高电压电极穿入该主容器之壁并且具有伸长形横截面之二次放射靶标连接到该高电压电极;和离子束射形成装置,用来在该主容器之该气体不能渗透之壁区域之外面之隔开相对区域形成离子束射,让壁区域界定有一对隔开之相对孔洞其位置是使该高电压电极能够将该离子束射吸引进入该主容器,让靶标之方向是使其入射角小于30度,让靶标放射二次电子之角度实质上与该离子束射相同,让主容器具有束射形成装置用来引导该二次电子使其经过该窗口射在该宽大面域配置区域上。18.如上述申请专利范围第18项所述之装置,其中该二次放射靶标是不连续的,具有多个隔开之靶标构件。19.如上述申请专利范围第19项所述之装置,其中该靶标包含有多値平行隔开之金属翼筋。20.如上述申请专利范围第18项所述之装置,其中该束射形成装置包含有列利行隔开之金属翼筋。21.如上述申请专利范围第18项所述之装置,其中该主容器为圆筒形者,具有一个长度方向之轴和具有多値辅助容器被安置在主容器之相对侧,并且沿着该轴之纵向互相偏移,该辅助容器含有该用来形成离子束射之装置。22.如上述申请专利范围第18项所述之装置,其中该用来成一对离子束射之装置包含有用来使气体电浆离子化之装置和用来对放射自电浆之离子流加以整形之电极装置。23.如上述申请专利范围第23项所述之装置,其中该电浆为低温电浆。24.一种用来形成宽大面积电子束射之方法,包含有:将一个二次放射靶标配置在一个区域上;引导一个离子束射以低入射角度朝向靶标;利用放射自该靶标之二次放射电子来形成一个电子束射;和引导来自该靶标之电束子射,其方向是对该离子束射具有一个实质上之角度,其型样是在配置区域具有一个宽大之面积。25.如上述申请专利范围第25项所述之方法,其中讶低入射角小于30度。26.如上述申请专利范围第25项所述之方法,其中讶低入射角小于8度。27.如上述申请专利范围第25项所述之方法,更包含有将该靶标配置在一个主室和由配置在一个与主室沟通之辅助室内之电浆来产生该离子束射。28.如上述申请专利范围第25项所述之方法,更包含有利用静电聚焦来引导该电子束射之步骤。29.如上述申请专利范围第25项所述之装置,更包含有由氨分子来形成离子束射。图示简单说明:图1是依照本发明之远离子源电子枪之侧面图。图2表示图1之离子室之火花板点燃源之细节。图3表示使用在图l之装置之二次放射电极结构之第一具体例。图4表示使用在图1之装置之二次放射电极结构之第二具体例。图5是沿着图5-5之线s-s剖开之离子枪外形之剖面图。图5A是本发明之延伸之离子枪之等角图。 |
