发明名称 半导体装置,制造此装置之方法,及实施此方法之装置
摘要 此半导体装置具有两个接脚(3),位在相同的轴上;一个预制的塑胶罐(1),其中被充满塑胶成份,并有接脚之一穿过其底部(1a);及一个预制的主体(4),连接在接脚(3)的内端(60,70)之互相面对的那些侧面间,接脚被插入罐内并具有一偏移。在制作的方法中,接脚的制作是以一条纵卷轴(39)解开的一条线(30)开始,再通过不分离的主要制作阶段,而且只有在罐子(1)安装后,才被分开成为各自的半导体装置。
申请公布号 TW126758 申请公布日期 1990.01.11
申请号 TW077101563 申请日期 1988.03.10
申请人 国际标准电器股份有限公司 发明人 古特.加特林;艾伯哈.舒密特;艾根.塞恩;希弗莱德.史宾乐;亚力士.穆勒;蓝包米.米西克
分类号 H01L21/50 主分类号 H01L21/50
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 l.一种半导体装置包括两个接脚(3),位在相同的轴,一个预制的罐形,最好为圆柱形的塑胶外壳(二罐)(1),其中被填满塑胶成份,以铸造树脂(2)为佳,并有接脚之一穿过其底部(1a),一个预制半导体主体(4),连接在互相面对的接脚(3)的内端(60.70)之侧边之间,及接脚 (3)的内端(60.70),其插入罐(1)内。2.依据申请专利范围第1项之半导体装置,包括至少有一在罐(1)内偏移的接脚(31,32)。3.依据申请专利范围第2项之半导体装置,并包括圆形截面的接脚(30),具有变形的未端,在其侧面上将半导体主体(4)连结到半导体主体(4)用的安装面(51,52)内4.一种制造半导体装置之方法,用来制造申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中(a)接脚(31,32)源自一个线轴(39),线轴(39)中之线(30) (以镀锡为佳)在被拉直及/或伸展后形成有等间隔的偏移部份(6);(b)半导体主体(4)的一个主要面(41)被连接到靠近偏移点的偏移部份(6)处;(c)偏移部份(6)大约在中间处被切割,而所得到的自由偏移部份被移到连接的半导体主体(4)上,并接合到半导体主体(4)的另一主要面;(d)具有接脚端(60.70)的半导体主体(4)被插入一罐(1)中,而将所需量的塑胶成份填满罐(1)中并按着热化;(e)机械性完成的半导体装置被测试,落在预定"通过"范围内者被卷带并按着被刻字。5.一种制造半导体装置之方法,用来制造申请专利范围第3项所述之半导体装置,其中(a )接脚(31,32)源自一个线轴(39),线轴中之线(以镀锡为佳)在拉直及/或伸展后形成有等间隔的偏移部份(6),同时,具有安装面(51,52);(b)半导体主体(4)的一个主要面(41)被连接在靠近偏移点(61)的安装面(51)处;(c)偏移部份(6)在大约中间处被切割,由此而得到的自由偏移部份的安装面(52),被移至半导体主体(4)上,并接合到半导体主体(4)的另一主要面(42);(d)具有接脚端(60.7())的半导体主体(4)被插入一罐(1)内,而将所需量的塑胶成份填充罐(1)中,并接着热化;(e)械械性完成的半导体装置被测试,落在预定"通过"范围内者被卷带并按着被刻字。6.依据申请专利范围第4或5项之方法,其中两个连续的偏移部份(68.69)由双重偏移形成,其中两个连续的偏移部份(68、69)之中间部份(63)在步骤(c)中被移除,其中步骤(a)到(c)同时执行在由与线相同数目的线轴而来的线(最好约l00条线)上,而且其中步骤(d)是在单一操作中同时进行在相同数目的罐子上。7.依据申请专利范围第6项之方法,其中以氢焰住过量的氢中燃烧而达成焊接,其中各个半导体主体(4)约两个主要面(41 ,42) 被同时焊接,或者在第一循环步骤中先焊接一个主要面(41)而在接续的循环步骤中焊接另一个主要面(42)。8.一种装置,用来实施申请专利范围第6或7项所述之方法,包括下列依传送方向安置的站:一拉直站及/或一伸展站(40,50,一偏移站(65),如果需要时其也形成安装面(51,52),一主体安装站(75),一第一切割及进给站(80),一个主体接合站(85),一个第二切割站(90),一站(95),用于把罐(1)馈入仓匣(99)中,一个罐安装站(100) ,一个塑胶成份充填站(105)一个塾化站(110),一个测试及分类站(115),一个卷带站(120) ,一个刻字站(125),及一个卷轴站(130),用来卷绕装备有准备出售的半导体装置之带子(121)。9.依据申请专利范围第8项之装置,其中运送带变换90的方向,是在第二切割站之后及在塑胶成份充填站之前。图示简单说明:图1是依据本发明的半导体装置之较佳实例的透视图,图2表示本发明的较佳实例之制造的过程,而图3表示依据本发明的装置之不同站的实施例,以高度概略性的图示表示。
地址 德国