| 主权项 |
1.具沸石性质之合成多孔结晶物质,其中含矽、钛及镓之氧化物,其特征为其燃烧过之无水状态之实验式如下:pHGaO2.qTiO2.SiO2式中p大于0,小于或等于0.050;q大于0,小于或等于0.025;HGaO2之H+可至少部分被取代或完全被取代之阳离子;其粉末X-光线绕射谱中最有意义之线有:d Irel11.140.10 vs9.990.10 s9.74010 m6.360.07 mw5.990.07 mw4.260.05 mw3.860.04 s3.820.04 s3.750.04 s3.720.04 s3.650.04 m3.050.02 mw2.990.02 mw式中d系界面距,以A(埃)为单位;Irel系相对强度,vs=很强,s=强,m=中等,mw=略弱,w=弱;其红外线光谱至少包含下列吸收带:波数(厘米-1) Irel1220-1230 w1080-1110 s965-975 mw795-805 mw550-560 m350-470 ms2.制造申请专利范围第1项之合成多孔结晶物质之制法,其特征为在水热之条件下,使矽衍生物,钛衍生物,镓衍生物及含氮有机硷,可在一种或多种硷金属或硷土金属盐及/或氢氧化物之存在下反应而得,反应物中SiO2/Ga2O3莫耳比大于100,SiO2/TiO2莫耳比大于5,M/SiO2莫耳比小于0.1或等于零(其中M系硷金属及/或硷土金属阳离子)。3.根据申请专利范围第2项之制法,其中反应物中H2O/SiO2比为10-100。4.根据申请专利范围第2项之制法,其中反应物中SiO2/Ga2O3之莫耳比为150-600,SiO2/TiO2莫耳比为15-25,H2O/SiO2莫耳比为30-50,M/SiO2莫耳比为0。5.根据申请专利范围第2项之制法,其中矽衍生物选自矽胶,矽溶胶,矽酸烷酯,钛衍生物选自钛盐及有机汰衍生物,镓衍生物选自其盐。6.根据申请专利范围第5项之制法,其中矽酸烷酯系矽酸四乙酯。7.根据申请专利范围第5项之制法,其中汰盐为卤化物。8.根据申请专利范围第5项之制法,其中有机钛衍生物为钛酸烷酯。9.根据申请专利范围第8项之制法,其中钛酸烷酯为钛酸四乙酯。10.根据申请专利范围第5项之制法,其中镓盐选自卤化物,硝酸盐及氢氧化物。11.根据申请专利范围第2项之制法,其中含氮硷为氢氧化烷铵。12.根据申请专利范围第2项之制法,其中氢氧化烷铵为氢氧化四丙铵。13.根据申请专利范围第2项之制法,其反应条件为温度系100-200℃,ph値为9-14,反应时间为1小时至5天。14.根据申请专利范围第12项之制法,其中反应物中TPA+/SiO2莫耳比为0.1-1。15.根据申请专利范围第4,6,9,12或14项之制法,其中反应物中TPA+/SiO2才莫耳比为0.2-0.4。16.基于矽、钛及镓之触媒,系呈徵球形,由寡聚二氧化矽及第1项之结晶物质组成,其中寡聚二氧化矽/钛-镓-矽石之莫耳比为0.05-0.2,而且钛-镓-矽石结晶系以Si-O-Si互相连接着。17.根据申请专利范围第16项之触媒,其中微球之直径为5至100微米。18.制造申请专利范围第16或17项之触媒之制法,包含使原矽酸四院酯于氢氧化四院铵水溶液中,于200℃液相中水解0.2至10小时而获得之二氧化矽及氢氧化四烷铵水溶液中,分散着钛-矽石晶体,然后使所得之钛-矽石及寡聚二氧化矽悬浮液快速乾燥即可。19.根据申请专利范围第18项之制法,其中原矽酸四烷酯为原矽酸四乙酯。20.根据申请专利范围第18项之制法,其中水解系在40-100℃之温度进行。21.根据申请专利范围第18项之制法,其中四烷铵中之烷基含C1-5。22.根据申请专利范围第21项之制法,其中四烷铵为四丙铵。 |
