发明名称 沸水式核电厂设备之抑制辐射性物质附蛫之方法及沸水式核电厂设备
摘要 本发明系有关一种沸水式核电厂设备之抑制幅射性物质附之方法,其特征在于沸水型核电厂设备之核加热运转期间中,当其因炉水核分裂生成之氧成为溶存于该泸水中之量以上溶存氧量时,注入硷物质予该炉水中,并且藉由使此物质循环于原子炉主系统内,于原子炉主系统构成材料之表面形成氧化被膜;以及有关一种沸水式核电厂设备,其特征为以具备原子炉,输机,冷凝水器,冷凝水滤器,冷凝水脱器,给水加热器,原子炉再循环系及注入硷装置的原子炉炉水净化滤器为主要构件。
申请公布号 TW128120 申请公布日期 1990.02.01
申请号 TW076106247 申请日期 1987.10.17
申请人 日立工程股份有限公司;日立制作所股份有限公司 发明人 大角克己;本田卓;伊藤久雄;会槷元浩
分类号 G21F9/00 主分类号 G21F9/00
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种沸水式核电厂设备之抑制辐射性物质附着之方法,其特征在于沸水型核电厂设备之核加热运转期间中,当其兽炉水核分裂生成之氧成逼溶存于该炉水中之量以上溶存氧量时,注入硷物质予该炉水中,并且藉由使此物质循环于原子炉主系统内,于原子炉主系统构成材料之表面形成氧化被膜。2.如申请专利范围第1项所请沸水式核电厂设备之抑制辐射性物质附着之方法,其中硷水系自原子炉净化系统之局部注入。3.如申请专利范围第1项所请沸水式核电厂设备之抑制辐射性物质附着之方法,其中藉由注入硷调整炉水之ph値为8.0~8.6。4.一种沸水式核电厂设备之抑制辐射性物质附着之方法,其特征在于准水式核电厂设备之核加热运转期间,在不注入氢之下,于藉由炉水之核分裂生成之恙成为溶存于该炉水中溶存气量以上之量时,注入硷性物质予该炉水中,并且藉由将之循环于原子炉主系统内,于原子炉主系构造构件之表面形成氧化被膜。5.如申请专利范围第4项所请沸水式核电厂设备之抑制辐射性物质附着之方法,其中硷水系自原子炉净化系之局部注入。6.如申请专利范围第4项所请沸水式核电厂设备之抑制辐射性物质附着之方法,其中藉由注入硷调整炉水中之ph値为8.0~8.6。7.一种沸水式核电厂设备,其特征为以具备原子炉,轮机,冷凝水器,冷凝水泸器,冷凝水脱盐器,给水加热器,原子炉再循环系及注入硷装置的原子炉炉水净化泸器为主要构件。8.如申请专利范围第7项所请沸水式核电厂设备,其中注入硷装置系一种硷置换型离子交换树脂之注入装置。9.一种沸水式核电厂设备,其特征为以原子炉,轮机,冷凝水器,冷凝水泸器,冷凝水脱盐器 冷凝水加热器,原子炉再循环系,原子炉炉水净化泸器及在设有该原子炉炉水净化泸器之系统局部所设注入签装置为主要构件。10. 如申请专利范围第9项所请沸水式核电厂设备,其中注入硷装置系注入硷水之注入装置。图示简单说明:第1图系表示于CUW泸器负载硷元素,并注入硷药品之方法。第2图系表示在弱硷水中被形成之该膜特性。第3图表示确认预处理水中之PH値与预处理后之辐射素物资附着抑制效果之结果图。第4图系表示与炉水接触之构件材料元素在泸水环境下氧化安安领域之电位-PH图。第5图系表示核加热运转状态之图。第6图系表示由CRD系注入硷药品之情形图。第7图系表示由给。冷凝水系注入硷药品之情形图。第8图系表示由PLR系注入硷药品之情形图。第9图系负载硷元素于冷凝水脱盐器树脂予以调整炉水PH値之情形图。
地址 日本
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