| 发明名称 | 薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 | ||
| 摘要 | 薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括：在形成有半导体层的衬底基板上形成具有均匀厚度的第一光刻胶图案；以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述半导体层进行重掺杂，以形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区；对所述第一光刻胶图案进行灰化处理，得到均匀厚度的第二光刻胶图案；以所述第二光刻胶图案为掩膜对所述半导体层进行轻掺杂，以形成沟道区、源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区。该方法可以充分地利用光刻胶，精确高效控制源极轻掺杂区、漏极轻掺杂区的关键尺寸，保证产品的均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN106024633A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610465623.5 | 申请日期 | 2016.06.23 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 发明人 | 孙超超;王超;刘华锋;赵生伟;顺布乐;杨磊;胡重粮;杨盟;吕景萍;谢霖;孙士民;丁多龙 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在形成有半导体层的衬底基板上形成具有均匀厚度的第一光刻胶图案；以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述半导体层进行重掺杂，以形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区；对所述第一光刻胶图案进行灰化处理，得到均匀厚度的第二光刻胶图案；以所述第二光刻胶图案为掩膜对所述半导体层进行轻掺杂，以形成沟道区、源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||