| 主权项 |
1.含有-矽-氮-键及-矽-矽-键之共聚物,该共聚物系由:式RR1SiCl2所示之至少一种矽烷R1 R2∣ ∣及式2-Si-N-Si-R2所示之∣ ∣∣R R R至少一种二矽胺烷聚缩反应所得;式中:R2代表卤素原子,以溴及氯为佳,R,R1及R3为相同或不相同之基,代表氢原子或烷基、烯基、炔基、环烷基、芳基、芳烷基或芳烯基等烃基,此等烃基可为官能基。2.如申请专利范围第1.项所述之共聚物,其中系R2=Cl,R=H以及R1=R3=CH3。3.如申请专利范围第1.项或第2.项所述之共聚物,其中所用之矽烷系式:ClxSiMe3-x-SiMe3-yCly(其中1<x<3以及1<y<3)之氯化二矽烷,或系由氯矽烷之工业合成生成之氯化二矽烷混合物。4.如申请专利范围第1.或第2.项所述之共聚物之制造方法,其中该共聚反应系将数种单体一起置入一种含有硷金属,特别是钠之溶剂中而进行者。5.一种聚碳矽胺烷,系由申请专利范围第1.项或第2.项所述之共聚物,在乾燥惰性气体氛围及250至550℃温度范围下,热分解而制得者。6.一种碳氮化矽,系将申请专利范围第5.项所述之聚碳矽胺烷,在惰性气体氛围下加热到温度900至1000℃而制得者。 |
