| 摘要 |
산화물 반도체층을 갖는 트랜지스터를 구비하는 반도체 장치에 있어서, 전기적 특성의 열화를 억제하는 것을 하나의 과제로 한다. 산화물 반도체를 채널층으로서 사용하는 트랜지스터에 있어서, 산화물 반도체층의 표면에 접하여 p형 실리콘층을 형성한 구성으로 한다. 또한, p형 실리콘층을 산화물 반도체층에 있어서 적어도 채널이 형성되는 영역에 접하여 형성함과 동시에 산화물 반도체층에 있어서 p형 실리콘층이 형성되지 않는 영역에 소스 전극층 및 드레인 전극층을 접하여 형성한 구성으로 할 수 있다. |
