METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR THIN FILM AND APPARATUS THEREFOR

摘要

Dans le procédé et l'appareil décrits, le substrat (10) est maintenu à une température appropriée et un faisceau laser d'une énergie plus faible que l'énergie photonique qui décompose directement un métal organique est amené à tomber sur un point correspondant à un motif désiré sur le substrat (10) pendant la formation MOMBE, de façon à permettre une sélection entre la promotion ou la suppression de la vitesse de formation par voie chimique d'un mince film semi-conducteur. Un mince film semi-conducteur composite comportant un motif détaillé à aspérité complexe peut être formé sur le substrat (10). L'appareil MOMBE (1), une source de faisceau laser (11) et des systèmes optiques (12, 31) servant à guider le faisceau laser sont disposés sur une plaque non vibrante (30) destinée à maintenir toujours constantes les positions relatives de la source de faisceau laser (11), des systèmes optiques (12, 31) servant à l'émission du faisceau laser et du substrat (10) dans le récipient sous vide (1), permettant ainsi la formation d'un motif détaillé.