| 摘要 |
L'appareil et le procédé décrits servent à alimenter en mercure élémentaire un réacteur de déposition en phase gazeuse par procédé chimique organométallique, pendant le fonctionnement du réacteur, et à maintenir une atmosphère de vapeur de mercure saturée sur une surface d'un substrat. Un assemblage à support réfractaire (''suscepteur'') (10) comporte un support réfractaire (''suscepteur'') (20) dont une surface sert à soutenir un substrat (22) à l'intérieur d'une chambre d'accroissement. Un réservoir (34) de mercure liquide (36) est disposé à l'extérieur du réacteur et alimente en mercure liquide via un tube d'alimentation capillaire (30) une dépression ou une cuvette (24) formée dans une surface du support réfractaire au niveau d'une position amont par rapport au substrat. Le mercure contenu dans la cuvette est vaporisé par le support réfractaire chauffé et s'écoule sur le substrat, créant ainsi une atmosphère de mercure saturée sur le substrat. Le réservoir peut être pressurisé par une source de gaz ou sa position verticale peut être réglée pour permettre une alimentation par gravité en mercure. |
