| 发明名称 |
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH02112286(A) |
申请公布日期 |
1990.04.24 |
| 申请号 |
JP19880265370 |
申请日期 |
1988.10.21 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP;TOSHIBA MICRO ELECTRON KK |
发明人 |
ASANO MASAMICHI;IWAHASHI HIROSHI |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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