| 发明名称 |
JUNCTION SEPARATION SEMICONDUCTOR REGION STRUCTURE FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH02154428(A) |
申请公布日期 |
1990.06.13 |
| 申请号 |
JP19880308288 |
申请日期 |
1988.12.06 |
| 申请人 |
FUJI ELECTRIC CO LTD |
发明人 |
NAGAYASU YOSHIHIKO;TSUCHIYA KAZUHIRO |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L21/76;H01L21/761;H01L29/732 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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