半导体用AIN封装

摘要

一种半导体用AlN封装，其特征是在AlN基板和Cu－W合金板之间存在有Cu或Ni基底之热应力缓冲材料。

主权项

1﹒一种半导体用AIN封装,其特征是在AIN基板和Cu─W合金板之间存在有Cu或Ni基底之热应力缓冲材料。2﹒如上述申请专利范围第1项所述之半导体用AIN封装,其中之热应力组冲材料之厚度为0﹒01-1mm。3﹒如上述申请专利范围第1或2项所述之半导体用AIN封装,其中之Cu─W合金板之Cu含量为5-25重量%。