| 主权项 |
1.一种制造半导体装置之方法,此方法包括提供具有掺杂半导体区之基体以产生至少一电组件,至少两个具有个别曝露表面区之掺杂矽区(曝露表面区由不同矽类型形成),并淀积金属以在每一曝露表面区产生金属矽化物,其特点为在淀积金属以产生金属矽化物之前,以能量在30eV 至200ev(电子伏特)之氩离子溅射蚀刻曝露表面区。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中包含将金属沉积以形成金属矽化物,此金属系由铂、钴和钛中检选而出。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中包含以钛沉积以形成矽化钛,并使基质维持于含有氮气之大气中。4.根据申请专利范围第1.2或3项之方法,此方法提供基体,以使两掺离区之曝露表面区以相同掺杂剂掺杂。5.根据申请专利范围第2或3项之方法,此方法提供基体,以使两掺杂区之曝露表面区以不相同掺杂剂掺杂。6.根据申请专利范围第5项之方法,此方法包括提供基体以使两掺杂区之曝露表面区系为相反导电性类型。7.根据申请专利范围第1项之方法,此方法包括提供基体以使两掺杂矽区之一之曝露表面区系由单晶矽所构成,而两掺杂矽区之另一区之曝露面由多晶矽所组成。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中提供设有掺杂矽区之基体之步骤,包括在基体某一定表面附近提供一传导性型式之单晶矽池,在所述表面之绝缘层上淀积掺杂多晶矽区,以在池上界定一绝缘闸极,利用绝缘闸极作为遮蔽罩引入杂质以界池内相反传导型式之源极和吸极区域,在该表面上提供绝缘层,及依各向异性方式蚀刻绝缘层俾使源极和吸极区域和绝缘闸极之多晶矽区之表面区曝露,而在绝缘闸极侧壁中留下绝缘材料之隔片。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中提供设有掺杂矽区之基体之步骤,包括在基体某一定表面附近提供第一和第二单晶矽池,此第一池系为一传导性型式而第二池系为相反传导性型式,在所述表面绝缘层上淀积一掺杂多晶矽区以在每一第一和第二池上界定各别绝缘闸极,利用绝缘闸极作为遮蔽罩引入杂质以界定第一池内相反传导性之源和吸极区,及第二池内一传导性型式之源和吸极区,在该一定表面上提供绝缘层,及依各向异性方向蚀刻绝缘层,俾使源和吸极区及绝缘极单间矽区等之表面区曝露,而在绝缘闸极侧壁留下绝缘材料隔片。10.根据申请专利范围第7.8或9项之方法,其中,此或每一曝露表面之单晶矽表面区系以磷掺杂。图示简单说明:图1所示为半导体本体之部份截面简略视图,图2至5所示系为图1中所示半导体一部份,与图1中者相对放大后之各别简略截面视图。 |
