| 主权项 |
l﹒沸石在整块陶瓷基材表面上结晶之方法,包括:(a)由习知技艺提供整块基材,具有氧化物组成份,主要包含45-75%重量氧化矽,8-45%重量氧化铝,和7-20%重量氧化镁;以及(b)基材以包括氧化钠或氢氧化钠和氧化铝之水溶液,藉水热法处理基材,其温度和时间足以使沸石如对已选择之沸石为习知地在该基材表面上结晶者。2.沸石在整块陶瓷基材表面上结晶之方法,包括:(a)由习知技艺提供董青石、玻璃、或玻璃-陶瓷之实质上烧结整块基材;(b)令该基材与强矿酸接触,其时间足以,产生在基材内损失重量约4-32%;和(c)基材以包括氧化钠或氢氧化钠和氧化铝的水溶液藉水热法处理,其温度和时间足以使沸石如对已选择之沸石为习知地在该基材表面上结晶者。3﹒沸石在整块陶瓷基材表面上结晶之方法,包括:(a)由习知技艺提供实质上烧结的整块基材,包括多孔性陶瓷母材,和若非(i)涂布基材1-45%重量之活性氧化矽涂层则为(ii)基材总重量的10-40%重量之活性氢化矽,全面分散并埋入母村内;以及(b)该基材以包括氧化钠和随意氧化铝的水溶液藉水热法处理,其温度和时间足以使沸石如对已选择之沸石为习知地在该基材表面上结晶者。4﹒如申请专利范围第1.2或3项之方法,其中,水溶液又包括活性氧化矽,表面积至少25m2/g者。5﹒如申请专利范围第2或3项之方法,在该接触或处理步骤(b)之前,又包括在该基材上提供活性氨化矽之乾涂膜,其中,涂膜重且为涂布基材重量之1-45%者。6﹒如申请专利范围第4项之方法,其中,水溶液内氧化矽/氧化铝/氧化钠/水之莫耳比,约1/0.2-0.5/1.2-1.5/4-60,或1/0.04-0.14/0.4-0.6./16-24,或1/0.04-0.09/0.11-0﹒15/20-25,或1/0-0.04/0.2-0.75/16-20者。7﹒如申请专利范围第1.2或3项之方法,其中,水溶液又包括有机模板剂者。8﹒如申请专利范围第3项之方法,其中,让多孔性陶瓷材料系选自陶瓷,金属及玻璃陶瓷。9﹒如申请专利范围第3项之方法,其中,让多孔性陶瓷材料主要包含望青石,富铝红桂石,锆石,石英,尖晶石,长石,二氧化钛,熔氧化矽,氧化铝,氧化祰,矽酸锂铝,高岭粘土,金属,碳化矽,氮化矽,或其混合物者。10﹒如申请专利范围第8项之方法,其中,水溶液内氧化铝/氧化钠/水之莫耳比,对该整块基材内之各莫耳活性氧化矽而言,为0.2-0.5/1.2-1.5/40-60,或0.4-0.14/0.4-0.6/16-24,或0.04-0.09/0.11-O﹒15/20-25或0-0.04/0.2-0.75/16-20者。11﹒如申请专利范围第10项之方法,其中,让整块基材又包括X型沸石,或Y型沸石,或丝光沸石,或Silicalite沸石的雏型结晶,全面分散且埋入母材内者。12﹒如申请专利范围第3或11项之方法,在该处理步骤(b)之前,又包括令该基材与强矿酸接触之步骤,其时间足以在基材内产生重量损失约4.32%者。 |
