| 主权项 |
1﹒一种具有改性含金属组份之自承式陶瓷体制法,包括下列步聚:(a)提供一种自承式陶瓷体,包括(1)一种熔化之母金属母体与一种氧化剂氧化时形成之一种多晶氧化反应生成物,以及(2)至少部份可从该陶瓷体一个以上表面接近之一种相连之合金属组份;(b)在一温度使一些与该相连之含金属组份不同之异金属与该陶瓷体之该表面接触,历一充分之时间,使其相互扩散,因此该异金属至少部份取代至少一部份该含金属之组份;以及(c)回收具有一改性之含金属组份之陶瓷体者。2﹒如上述申请专利范围第1项所述之制法,在其中,让母金属系从由铝、矽、钛、锡、锆及铪构成之族中选出者。3﹒如上述申请专利范围第1项所述之制法,在其中,让母金属为铝,而该含金属组份包括铝者。4﹒如上述申请专利范围1项所述之制法,在其中,让异金属包括至少一成份系从由镍、铁、银、钛、钒、铜、铀、钴、铬、铜、矽、钨、锗、锡、镁、钇、锆、铪、铌、锰、铂、钯、金、锌、铝、铅及其合金、金属间化合物及组合物组成之族中选出者。5.如上述申请专利范围第3项所述之制法,在其中,让异金属系从由镍、铜、铁及银组成之族中选出者。6﹒如上述申请专利范围第1.2.3.4或5项中任何一项所述之制法,在其中,该异金属之容积至少比所要取代之含金属组份之容积大五倍者。7﹒如上述申请专利范围第1.2.3.4或5项中任何一项所述之制法,在其中,在该陶瓷体与该异金属接触之前,该相连之含金属组份构成容积比大约为该陶瓷体之1-40%者。8﹒如上述申请专利范围第1.2.3.4或5项中任何一项所述之制法,又包括在该接触步骤当中搅拌该陶瓷体与(或)该异金属者。9﹒如上述申请专利范围第8项所述之制法,在其中,该搅拌为超音波振动者。10﹒如上述申请专利范围第l、2.3.4或5项中任何一项所述之制法,在其中,在该接触步骤当中之该温度高于该含金属组份或其组合物之熔点者。11﹒如上述申请专利范围第1.2.3.4或5项中任何一项所述之制法,在其中,该自承式陶瓷体包括一填料为该多晶氧化反应生成物所渗透者。12﹒如上述申请专利范围第11项 所述之制法,又包括将该填科形成一预成形之步骤者。13﹒一种自承式陶瓷体,包括:(a)一熔化之金属母体与一氧化剂氧化时形成之一种多晶氧化反应生成物,以及(b)一种相连之含金属组份至少部份敞开于该陶瓷体一个以上之表面,而且至少一部份该组份系由一外源相互扩散而来,此种扩散发生于操作之后期在形成该多晶气化反应生成物当中在原位置形成之第一金属与从该外源来之第二金属之间形成该多晶氧化反应生成物,故该陶瓷体具有一种以上从进行该氧化时形之特性加以改变而来之特性者。14﹒如上述申请专利范围第13项所述之陶瓷体,在其中,该相连之合金属组份容积比大约为1-40%者。图示简单说明:图1为一根据本发明之制法所处理之陶瓷体形态示意图。图2一本发明方法具体实施例之示意图。图3a为一显微照相图,将第一操作制成之陶瓷体放大一千倍,在改变其金属组以前于实施例1。图3b为一电脑增强之X光图,将图3a之陶瓷体放大一千倍,在其中,使用能量色散光谱光度测量技术显示铝金属之存在。图3c为一显微照相图,将第一次操作制成之陶瓷体放大一千倍,在根据实施例1改变其金属组份之后,而用于实施例1。图3d为一电脑增强之X光图,将图3c之陶瓷体放大一千倍,在其中,使用能量色散光谱光度测量技术显示镍金属之存在。图4a为一显微照相图,将第三次操作制成之陶瓷体放大一千倍,在改变其金属组份前用于实施例3。图4b为一电脑增强之X光图,将图4a之陶瓷体放大一千倍,在其中,使用能量色散光谱光度测量技术以显示铝金属之存在。图4c为一显微照相图,将第三次操作制成之陶瓷体放大一千倍,根据实施例3改变其金属组份之后用于实施例3。图4d为一电脑增强之X光图,将图4c之陶瓷体放大一千倍,在其中,使用能量色散光谱光度测量技术以显示铜金属之存在。 |
