| 主权项 |
1.一种为电子装置生产方法使用而设计且具有将对该装置有害的缺陷,污染物和杂质收捕于远离基质活性装置区以外区域能力之单晶砷化镓半导体基质,该基质包含该单晶砷化镓半导体材料,而在远离装置形成区之基质背面,具有厚度 0.4至20.0微米的多晶砷化镓层。2.根据申请专利范围第1项之基质,其中该多晶砷化镓层,是藉镓和砷之化学蒸气沉积法施加至该砷化镓半导体基质上。3.一种为电子装置生产方法使用而设计,且具有将对该装置有害的缺陷,污染物和杂质收捕于远离活性装置形成区以外区域能力之单晶砷化镓半导体基质,该基质包含具有一镜面状表面及另一面覆盖厚度 O.4至20.0微米多晶砷化镓层之单晶砷化镓薄片。4.根据申请专利范围第3项之基质,其中该多晶砷化镓层是藉砷和氯化镓之化学蒸气沉积法施加于半导体材料上。5.制造电子装置的方法,其中装置系使用热处理条件和由具有多晶砷化镓背层之单晶砷化镓薄片所构成之半导体基质而形成。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中该多晶砷化镓层之厚度为 0.4至20.0微米。 |
