发明名称 镍基底之箔张式阴罩之致黑
摘要 平面板阴极射线管(CRT)的镍-铁-基底平面板箔张罩的能量处理能力,可藉具有富镍薄表层,转换为磷化镍薄表层的平面箔张罩增强。磷化镍表层,是将罩浸泡于第一强还原酸池中,然后,再浸泡于含有效量次磷酸离子的第二强还原酸中,该磷化镍薄表层可增加箔张罩的放射率,并在高能电子束工作中减少鼓胀。该磷化镍化合物可在阴极射线管组成的烧结-退火循环中或在另外的加热处理时加以安定化。
申请公布号 TW150458 申请公布日期 1991.01.21
申请号 TW079101834 申请日期 1990.03.09
申请人 增你智电子公司 发明人 童华守
分类号 H01J 主分类号 H01J
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼之三
主权项 1﹒一种阴罩使用于一彩色阴极附线管(20),具有平面板(108),该阴罩之特征在于一镍一铁一基底的开孔箔(50),一磷化镍化合物的薄表层可增加其放射率,该磷化镍表层之镍系由其箔(50)之乏铁表面区域所提供者。2﹒依据申请专利范围第1项所述之阴罩,其特征在于:该箔(50)包含有约在75与85重量百分比之间的镍,约在3与5重量百分比之间的铝,余为铁及附带杂质。3﹒依据申请专利范围第1或第2项所述之阴罩,其特征在于:该箔(50)包含有约在30与85重量百分比之间的镍,约在0与5重量百分比之间的钼,约在0与2重量百分比之间的一或多重钒,钛,铪,铌,余为铁和附带杂质。4﹒依据申请专利范围第1项所述之阴罩,其特征在于:该薄表层厚度约0﹒000025m至0﹒00025m(0﹒01密尔一0﹒1密尔)5﹒依据申请专利范围第1项或第4项所述之阴罩,其特征在于:该薄表层系大量的磷化镍和磷化钼。G﹒一种阴罩的布置使用于彩色阴极射线管(20)具有一平面板(24)、该阴罩的布置其特征在于:薄镍一铁一基底的箔(50)具有凿孔的中央部份和一坚固周边部份,以张力方式(48)来啮合该箔(50)之周边部份并保持该箔(50)使其伸张于张力下之情况,该箔(50)具有一磷化镍化合物之薄表层以增加其放射率,该表层之镍系由其镍一铁一基底的凿孔箔的乏铁表层之镍所提供者。7﹒依据申请专利范围第6项所述之该阴罩布置,其特征在于:该薄表层系大量的磷化镍和磷化铝。8﹒一种改良的镍一铁一基底的箔阴罩(50)使用于彩色阴极射线管(20)具有多数个孔的式样并保持扁平,伸张于张力的情况,其特征在于;该箔(50)有一磷化镍化合物的薄表层以增加其放射率。图示简单说明第1 图系具有平面面板和箔张阴罩的彩色阴极射线管的侧面透视图。第2图系制程中箔阴罩的平面图。第3图系显示制程中平玻璃面板的)网幕区与箔阴罩固定支架的平面图。第4图系漏斗及烧结治具的透视图。第5图系部份细剖视,从横截面及高度来描述漏斗及面板的连接。第6图系本发明进行箔张阴罩制作的简化流程图。
地址 美国