| 主权项 |
1﹒在半导体晶片之气相蚀刻技术上脱除此等晶片上部份氧化物膜之方法,包括:装载许多此项半导体晶片于一晶片载体内其中晶片相互间隔成面对面关系,供应含无水氟化氢气的蚀刻气体在晶片间流动,并暴露部份晶片于蚀刻气以蚀刻其上氧化物膜部份。2﹒根据申请专利范围第1项之方法并转动晶片载体与其中晶片。3﹒根据申请专利范围第2项之方法,其中系绕一横越该晶片等伸张的轴旋转。4﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中晶片系在通过晶片之轴上。5﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中晶片邻近而与轴隔离。6﹒在半导体晶片之气相蚀刻技术上脱除此等晶片上部份氧化物膜之方法,包括:装载许多此项晶片的晶片载体安装在处理机的盘内之转片上;供应蚀应蚀刻气于此机内,并转动此转片及载体与晶片等使晶片部份暴露于气体以蚀刻晶片上的氧化物膜部份。7﹒根据申请专利范围第6项之方法,其中蚀刻气含无水氟化氢气。8﹒根据申请专利范围第6项之方法,其中蚀刻气引导向此等衆多晶片之间。9﹒在半导体晶片之气相蚀刻技术上脱除此等晶片正面中氧化物膜部份之方法,包括:安装衆多此等晶片相互成间隔而面对面关系,将每一晶片自其背面支承于邻近其边之其外周缘处;并供应蚀刻气于晶片中间及须蚀刻之该部份上。10﹒根据申请专利范围第9项之方法并暴露晶片之正及反二面部份于蚀刻气以蚀刻。11﹒在半导体晶片之气相蚀刻技术上脱除此等晶片上氧化物膜部份之方法,包括:安装衆多此项半导体相互成间隔的面对面关系;并由衆多喷雾来源供应及导引蚀刻气朝向许多晶片部份使蚀刻剂在晶片之间流动,且暴露气化物膜部份于此气体藉以蚀,刻。12﹒根据申请专利范围第11项之方法并在晶片与某些喷雾来源之间产生相对旋转运动13﹒在半导体晶片之气相蚀刻技术上脱除此等晶片上气化物膜部份之方法,包括:组集并排列衆多此项晶片相互成间隔对齐及面对面的相对固定关系于一宽松而延长的晶片堆架内;竖直移动晶片堆架入一能关闭的机并限制堆架于盘内;及供应蚀刻气于盘中使晶片部份暴露于此气供蚀刻晶片上的氧化物膜部份。14﹒根据申请专利范围第13项之方法并于至少部份晶片暴露于气体期间旋转堆架。15﹒根据申请专利范围第13项之方法,其中蚀刻气含一部份无水氟化氢气。16﹒根据申请专利范围第13项之方法,其中蚀刻气不含电浆产生气体之电浆。17﹒一种蚀刻半导体晶片上氧化物膜或层部份之方法,包括:堆积并保持衆多此项晶片使相互成对齐间隔关系;将堆架的晶片装在一处理机机内之转片上,使堆架沿旋转轴定向俾晶片横越旋转轴放置;及喷雾蚀刻气入机内朝向晶片之边,同时转动转片与晶片使气态蚀刻剂移动横过晶片上氧化物膜部份而产生此等部份之蚀刻。18﹒根据申请专利范围第17项之蚀刻方法,其中该蚀刻气之喷雾经引导横过转动晶片之表面。19﹒根据申请专利范围第17项之蚀刻方法,其中该喷雾自衆多地点沿晶片堆架散发。20﹒根据申请专利范围第17项之蚀刻方法,其中堆架晶片之安装包括放置该堆架离开转片之旋转轴并成间隔关系。21﹒根据申请专利范围第20项之蚀刻方法,该蚀刻气之喷雾自邻近转片的旋转轴之位置散发,由其处向外至堆架的晶片上。22﹒根据申请专利范围第18项之蚀刻方法,该蚀刻气之喷雾自旋转轴远隔的地点散发23﹒根据申请专利范围第17项之蚀刻方法,其中该堆架晶片之安装包括沿转片之旋转轴放置堆架晶片及其中之轴延伸过堆架内的晶片。24﹒根据申请专利范围第17项之蚀刻方法,其中该晶片之堆积与保持包括限制晶片于孔晶片载体中能容蚀刻气接近晶片。25﹒在气相蚀刻矽及类似物之据术上脱除此等晶片上氧化物膜部份之方法,包括:将装有衆多此项晶片的多孔晶片载体安装在处理机的盘内;由喷嘴中喷雾蚀刻气入盘中朝向晶片之边使蚀刻气移行横过晶片上氧化物膜部份似产生此等部份之蚀刻;及在晶片载体与喷嘴之间绕一旋转轴沿伸至晶片堆架之末端而产生相对旋转。26﹒根据申请专利范围第25项之方法,其中蚀刻气之供应自沿晶片堆架之衆多地点处之许多位置与喷嘴散发。 |
